KR970052415A - 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법에 관한 것으로서, 실리콘 상부 표면에 형성된 제1절연막 위에 제2절연막인 질화막을 적층하여 형성된 2층 절연막 형태를 사용하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 공정을 나타내는 순서도이다.
Claims (1)
- 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법에 있어서 서로 다른 불순물로 형성된 실리콘 영역위에 제1절연막인 산화막을 형성하는 제1단계, 제2절연막인 질화막을 형성한 다음 콘택 마스크인 포토레지스터를 이용하여 제2절연막인 질화막을 건식 식각하는 제2단계, 제1절연막인 산화막을 습식 식각한 후 다시 케미컬 컨식 식각을 이용하여 제2절연막인 질화막을 제거하는 제3단계로 이루어진 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062007A KR970052415A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062007A KR970052415A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052415A true KR970052415A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66620613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950062007A KR970052415A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052415A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950062007A patent/KR970052415A/ko not_active Application Discontinuation
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