KR980005405A - 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980005405A
KR980005405A KR1019960020647A KR19960020647A KR980005405A KR 980005405 A KR980005405 A KR 980005405A KR 1019960020647 A KR1019960020647 A KR 1019960020647A KR 19960020647 A KR19960020647 A KR 19960020647A KR 980005405 A KR980005405 A KR 980005405A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
poly plug
film
contact hole
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019960020647A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100186504B1 (ko
Inventor
서광동
Original Assignee
문정환
엘지반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019960020647A priority Critical patent/KR100186504B1/ko
Publication of KR980005405A publication Critical patent/KR980005405A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100186504B1 publication Critical patent/KR100186504B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/7684Smoothing; Planarisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 폴리 플러그의 안전성을 개선하여 소자의 신뢰성을 향상시키는데 적당하도록 한 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법은 반도체 기판상에 도프트 글래스막을 형성하여 고온 열처리로 평탄화시키는 공정과, 상기 도프트 글래스막을 포함한 전면에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 노광 및 현상 공정으로 패터닝하여 상기 반도체 기판의 표면이 노출되게 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 내부에 폴리 플러그를 형성하는 공정과, 상기 폴리 플러그를 포함한 전면에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 상측의 제1절연막을 선택적으로 식가하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a) - (f)는 본 발명의 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법을 나타낸 공정 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 기판상에 도프트 글래스막을 형성하여 고온 열처리로 평탄화시키는 공정과, 상기 도프트 글래스막을 포함한 전면에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 노광 및 현상 공정으로 패터닝하여 상기 반도체 기판의 표면이 노출되게 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 내부에 폴리 플러그를 형성하는 공정과, 상기 폴리 플러그를 포함한 전면에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 상측의 제1절연막을 선택적으로 식각하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 불산을 사용하여 선택적으로 제거함을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 도프트 글래스막과 식각 선택비가 다른 물질이고 식각선택비는 1 : 2이상인것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 폴리 실리콘막과 불산 식각 선택비가 다른 물질이고 식각 선택비가 10 : 1이상인것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 상압, 저압, 저압 플라즈마 화학기상증착법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960020647A 1996-06-10 1996-06-10 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법 KR100186504B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960020647A KR100186504B1 (ko) 1996-06-10 1996-06-10 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960020647A KR100186504B1 (ko) 1996-06-10 1996-06-10 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980005405A true KR980005405A (ko) 1998-03-30
KR100186504B1 KR100186504B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=19461346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960020647A KR100186504B1 (ko) 1996-06-10 1996-06-10 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100186504B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100186504B1 (ko) 1999-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970024206A (ko) 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법.
KR980005405A (ko) 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법
KR970052336A (ko) 반도체소자의 콘택홀 형성방법
KR960015848A (ko) 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
KR960039285A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR0151191B1 (ko) 반도체 메모리장치 제조방법
KR960015751A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR960002548A (ko) 반도체소자의 콘택 제조방법
KR970023711A (ko) 반도체소자의 콘택부 형성방법
KR960002744A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR980005474A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR970030355A (ko) 고신뢰성 비아콘택 형성을 위한 금속층간 절연막 형성방법
KR970052415A (ko) 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법
KR970030777A (ko) 반도체 장치의 캐패시터 제조방법
KR970052486A (ko) 측벽 산화막을 가지는 접촉창 형성 방법
KR960036020A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR970030382A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR970053423A (ko) 반도체 소자의 소자 분리 절연막 제조방법
KR970030663A (ko) 평탄화된 층간절연막을 갖는 반도체 장치의 제조방법
KR970023714A (ko) 반도체 소자의 콘택부 및 그의 형성방법
KR960035800A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성방법
KR970030857A (ko) 실린더 모양의 스토리지 전극을 가지는 커패시터의 제조 방법
KR960005783A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970030404A (ko) 반도체 장치의 층간절연막 평탄화 방법
KR970023755A (ko) 반도체 소자의 도전층간 절연 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101125

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee