KR960036020A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고 사기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전체를 형성한 다음, 그 상부에 불순물이 도핑된 도핑절연막을 형성하고 저장전극마스크를 이용하여 식각공정을 실시한 다음, 전체표면상부에 일정온도범위에서 상기 불순물을 활성화시키며 제2도전층을 형성하여 요철형상을 형성하고 전면식각공정으로 상기 제2도전층의 요부만이 남도록 전면식각공정을 실시한 다음, 상기 제2도전층의 요부를 마스크로하여 상기 도핑절연막을 식각하고 전체표면상부에 제3도전층을 일정두께 형성한 다음, 상기 도핑절연막이 노출되도록 전면식각을 실시하고 상기 도핑절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성한 다음, 후공정에서 유진체막과 플레이트 전극을 순차적으로 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보하는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (15)
- 하부절연층이 형성된 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 도핑절연막을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기 도핑절연막과 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 일정온도범위에서 일정두께 형성함으로써 상기 도핑절연막 표면에 요철형상의 제2도전층을 형성하는 공정과, 상기 제2도전층의 요부만이 남도록 전면식각하는 공정과, 상기 남은 제2도전층을 마스크로하여 상기 도핑절연막을 식각하는 공정과, 전체표면상부에 제3도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 도핑절연막이 노출되도록 일정두께 전면식각하는 공정과, 상기 도핑절연막을 습식방법으로 제거하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑절연막은 불순물이 도핑되고 실리콘이 함유된 산화막으로 사용되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑절연막은 표면에 얇게 불순물이 도핑된 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전층 형성공정은 500내지 1000℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑절연막 식각공정은 상기 도전층과 식각비 차이를 이용한 건식방법으로 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 도핑절연막을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기 도핑절연막과 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 일정온도범위에서 일정두께 형성함으로써 상기 도핑절연막 표면에 요철형상의 제2도전층을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 절연막을 일정두께 증착함으로써 요철형상의 절연막을 형성하는 공정과, 전체표면상부를 감광막으로 평탄화시키는 공정과, 상기 절연막 요부만이 남도록 전면식각하는 공정과, 상기 남은 절연막을 마스크로하여 제2도전층과 도핑절연막을 순차적으로 식각하는 공정과, 전체 표면상부에 제3도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 도핑절연막이 노출되도록 일정두께 전면식각하는 공정과, 상기 도핑절연막을 습식방법으로 제거하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 도핑절연막은 불순물이 도핑되고 실리콘이 함유된 산화막으로 사용되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어성, 상기 도핑절연막은 절연막의 표면에 얇게 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2도전층 형성공정은 500 내지 1000℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 절연막은 질화막 또는 산화막과 같이 상기 도전층과 식각비 차이를 갖는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 도핑절연막을 형성하는 공정과, 저장전극선마스크를 이용하여 상기 도핑절연막과 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 일정온도범위에서 일정두께 형성함으로써 상기 도핑절연막 표면에 요철형상의 제2도전층을 형성하는 공정과, 상기 절연막 요부만이 남도록 전면식각하는 공정과, 상기 남은 절연막을 마스크로하여 제2도전층과 도핑절연막을 순차적으로 식각하는 공정과, 전체표면상부에 제3도전층을 일정 두께 형성하는 공정과, 저장전극성마스크를 이용하여 사기 제3도전층을 식각하는 공정과, 상기 도핑절연막을 습식방법으로 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 도핑절연막은 불순물이 도핑되고 실리콘이 함유된 산화막으로 사용되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 도핑절연막은 절연막의 표면에 얇게 불순물이 도핑된 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2도전층 형성공정은 500 내지 1000℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 도핑절연막 제거공정은 상기 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004500A KR0169597B1 (ko) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004500A KR0169597B1 (ko) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960036020A true KR960036020A (ko) | 1996-10-28 |
| KR0169597B1 KR0169597B1 (ko) | 1999-01-15 |
Family
ID=19409258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950004500A KR0169597B1 (ko) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0169597B1 (ko) |
-
1995
- 1995-03-06 KR KR1019950004500A patent/KR0169597B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0169597B1 (ko) | 1999-01-15 |
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