KR960026666A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 예정된 부분에 접속되는 도전층을 형성하고 그 상부에 핀홀이 형성된 절연막을 형성한 다음, 상기 핀홀을 통하여 상기 도전층에 불순물을 이온주입하고 상기 절연막을 제거한 다음, 저장전극마스크를 이용하여 상기 도전층을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되는 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 핀홀이 형성된 절연막을 형성하는공정과, 상기 절연막을 마스크로하여 상기 도전층에 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 절연막을 제거하는 공정과, 상기 불순물이 이온주입된 부분의 도전층을 식각하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기 도전층을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물은 As가 사용되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물은 B가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물은 P가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐피시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물이 주입된 도전층 식각공정은 상기 불순물이 주입되지 않은 부분과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저장전극은 열공정으로 상기 절연막에 형성된 핀홀의 수를 증가시킴으로써 표면적이 증가되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| KR960026666A true KR960026666A (ko) | 1996-07-22 |
| KR0137994B1 KR0137994B1 (ko) | 1998-06-15 |
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ID=19403993
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0137994B1 (ko) |
-
1994
- 1994-12-27 KR KR1019940037496A patent/KR0137994B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0137994B1 (ko) | 1998-06-15 |
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