KR960026800A - 반도체소자의 저장전극 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장전극 제조방법에 관한 것으로, 반도체소자가 고집적화됨에 따라 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 제1절연막, 제2절연막, 제1도전층, 제3절연막 및 제4절연막을 순차적으로 형성하고 감광막패턴을 이용한 식각공정으로 상기 제4절연막, 제3절연막, 제1도전층 및 순차적으로 제2절연막을 식각한 다음, 상기 제2,3절연막을 일정두께 측면식각하고 콘택마스크를 이용하여 콘택을 오픈시킨 다음, 전체표면상부에 제2도전층을 형성하고 이방성식각을 실시한 다음, 상기 절연막들을 제거하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 후공정에서 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 신뢰성 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 저장전극 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (12)
- 반도체기판 상부에 하부절연층, 제1절연막, 제2절연막, 제1도전층, 제3절연막 및 제4절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제4절연막 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 제4절연막, 제3절연막, 제1도전층 및 제2절연막을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 제2절연막과 제3절연막을 일정두게 측면식각하는 공정과, 전체표면상부에 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 반도체기판의 예정된 부분이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되도록 전체표면상부에 제2도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제2도전층을 이방성식각하여 제2도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제4절연막 ,제3절연막, 제2절연막 및 제1절연막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 상기 저장전극마스크보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 질화막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막과 제3절연막은 제1,4절연막보다 식각선택비가 우수한 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막과 제3절연막은 PSG로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4절연막은 TEOS로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴을 이용한 식각공정은 상기 제1절연막을 식각장벽으로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면식각은 상기 제2,3절연막과 제4절연막, 제1도전층 및 제1절연막과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 측면식각은 상기 제2,3절연막의 중앙부로 상기 콘택홀이 형성될 수 있도록 실시된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2감광막패턴은 콘택마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막, 제2절연막, 제3절연막 및 제4절연막은 상기 제1,2도전층과의 식각선택비를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전층과 제2도전층을 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019940032885A KR0166495B1 (ko) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 반도체소자의 저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR0166495B1 KR0166495B1 (ko) | 1999-01-15 |
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ID=19400400
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Country Status (1)
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1994
- 1994-12-06 KR KR1019940032885A patent/KR0166495B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0166495B1 (ko) | 1999-01-15 |
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