KR960026820A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층과 제1절연막이 상부에 형성된 반도체기판에 콘택된 제1도전층 상부에 제1감광막패턴을 이용한 식각공정으로 사익 제1도전층을 일정두께 식각하고 상기 제1도전층의 식각면에 제2절연막 스페이서를 형성한 다음, 이를 이용하여 상기 제1도전층을 일정깊이 식각하고 제2감광막으로 상기 제2절연막 스페이서가 돌출되도록 평탄화된 제2감광막패턴을 형성한 다음, 선택적 성장 절연막을 형성하고 상기 제2감광막패턴을 제거한 다음, 전체표면 상부에 제2도전층을 일정두께 형성하고 이방성식각공정과 절연각 제거공정을 이용하여 표면적이 증가된 저장전극을 얻어 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 반도체기판 상부에 하부절연층과 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제1절연막과 하부절연층을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 이용한 식각공정으로 상기 제1도전층을 일정두께 식각하는 공정과, 상기 식각된 제1도전층의 식각면에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 제2절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 제1도전층을 일정두께 식각하는 공정과, 상기 제2절연막 스페이서가 노출되도록 상기 제1도전층의 식각부분에 평탄화된 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 스페이서를 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 제1도전층이상의 구조물에 제2도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면 상부에 제3감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제3감광막패턴을 마스크로하여 상기 제1절연막이 노출되도록 식각하는 공정과, 상기 제1절연막, 제2절연막 스페이서 및 선택적 성장 절연막을 제거하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 상기 콘택마스크보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2감광막패턴은 전체표면 상부에 제2감광막을 형성하고 산소플라즈마를 이용한 식각공정으로 평탄화된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3감광막패턴은 저장전극마스크를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 TEOS로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 PSG로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막, 제2절연막 스페이서 및 선택적 성장 절연막은 상기 제1도전층 및 제2도전층 스페이서와의 식각선택비 차이를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035147A KR960026820A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035147A KR960026820A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026820A true KR960026820A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035147A KR960026820A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026820A (ko) |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940035147A patent/KR960026820A/ko not_active Application Discontinuation
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