KR960026817A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 제1절연막과 제1도전층을 순차적으로 형성하고 콘택마스크를 이용하여 상기 제1도전층과 제1절연막을 식각한 다음, 그로 인한 식각면에는 제2도전층 스페이서를 형성하고 이를 이용하여 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 반도체기판에 접속되는 제3도전층을 형성하고 저장전극마스크를 이용하여 상기 제3도전층을 노출시키는 제2절연막과 제3절연막을 형성한 다음, 상기 노출된 제3도전층을 선택성장시켜 선택적 성장 도전층을 형성하고 상기 선택적 성장 도전층을 이용한 식각공정과 전면식각공정을 실시하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (9)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상부에 제1절연막과 제1도전층을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 제1도전층과 제1절연막을 식각하는 공정과, 상기 제1절연막과 제1도전층의 식각면에 제2도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제1도전층과 제2도전층 스페이서를 마스크로하여 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 제3도전층을 형성하는 공정과, 상기 제3도전층 상부에 제2절연막을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 노출된 제2절연막 상부에 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 제2절연막의 두께만큼 전면식각하여 상기 제3도전층을 노출시키는 공정과, 상기 제3도전층을 선택성장시켜 선택적 성장 도전층을 형성하는 공정과, 상기 선택적 성장 도전층을 마스크로하여 상기 제3절연막과 제2절연막을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 제1도전층과 제3도전층의 두께만큼 전면식각하여 상기 제1절연막을 노출시키는 공정과, 상기 제3절연막과 제2절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 실리콘질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3도전층 및 선택적 성장도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀은 저장전극 콘택마스크보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 콘택홀의 크기는 상기 제2도전층 스페이서의 두께로 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 저장전극마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 상기 감광막패턴과 선택성을 갖는 액상증착 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택적 성장 도전층은 사익 제3도전층을 과도성장시켜 상기 제3절연막의 끝부분에도 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막과 제2절연막 제거공정은 상기 제1,2,3도전층, 선택적 성장 도전층 및 제1절연막과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035144A KR960026817A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035144A KR960026817A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026817A true KR960026817A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035144A KR960026817A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026817A (ko) |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940035144A patent/KR960026817A/ko not_active Application Discontinuation
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