KR950034784A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자가 고집적화됨에 따라 소자의 크기는 작아지고 더욱 많은 정전용량을 요구하게 되었으나 종래기술에서는 정전용량의 문제 외에 많은 한계를 갖게 하였다. 따라서 본 발명은 하부층을 평탄화시켜 안정된 식각공정을 가능하게 하고 필요로 하는 크기의 실린더 폭을 갖는 감광막으로 형성한 마스크를 교대로 사용하는 작업과 등방성 건식식각을 실시하여 디자인 상의 한계를 극복하고 비등방성 건식식각을 이용하여 표면적이 증가된 이중실린더 구조의 저장전극을 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 저장전극 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도 내지 제3도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 저장전극 형성공정을 도시한 단면도.

Claims (5)

1. 반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부 절연층을 형성하고 그 상부에 질화막 및 제1절연막을 순차적으로 종착한 다음, 예정된 부위의 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀을 통하여 상기 노출된 반도체 기판에 접속되도록 전체 구조상부에 저장전극용 제1다결정실리콘막을 일정두께 증착한 다음, 전체 구조상부에 제1저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 제1저장 전극 마스크를 사용하여 상기 저장전극용 제1다결정 실리콘막을 식각함으로써 저장전극용 다결정실리콘막패턴을 형성하고 상기 제1저장전극 마스크를 제거한 다음, 전체구조상부에 제2절연막을 사용하여 평탄화시키고 그 상부에 제1도전체를 일정두께 증착한 다음, 그 상부에 제2저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 제2저장전극 마스크를 사용하여 상기 제1도전체를 등방성 건식 식각함으로써 제1도전체 패턴을 형성하고 상기 제2저장전극 마스크를 제거한 다음, 전체구조상부에 일정두께의 제3절연막을 일정두께 증착하는 공정과, 상기 제3절연막 상부에 일정두께의 제2도전체를 증착하고 상기 제2도 전체의 상부에 제3저장전극 마스크를 형성하는공정과, 상기 제3저장 전극 마스클 이용하여 상기 제2도전층과 제3절연막을 식각함으로써 제2도전층 패턴과 제3절연막패턴을 형성하고 상기 제3저장 전극 마스크를 제거하는 공정과, 상기 제2도전층패턴과 제1도전층패턴을 마스크로하여 상기노출된 제2절연막을 식각함으로써 제2절연막패턴을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 일정주께의 저장전극용제2결정실리콘막을 증착하는 공정과, 상기 저장전극용 다결성실리콘막을 증착공정시 나쁜 단차피복성으로 인하여 형성된 브이형 골을 갖는 저장전극용 제2다결정 실리콘막을 상기 제2절연막패턴이 노출되도록 전면식각하고 동시에 상기 제1,2도 전체패텬을 전면식각한 다음, 상기 노출된 제2절연막패턴을 제거함과 동시에 제3절연막 패턴도 제거함으로써 이중실린더형 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1,2저장 전극 마스크는 포지티브형 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제3저장전극 마스크는 네가티브형 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1도전체패턴은 등방성 건식식각시 식각속도를 빠르게 함으로써 상기 제2저장전극 마스크보다 적게 형성한 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
5. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.