KR960026816A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판상부에 도전층 또는 선택적 성장 도전층을 형성하고, 그 상부에 최상부에는 절연막이 형성되도록 다수의 절연막과 다수의 도전층을 주기적으로 형성하고 상기 최상부의 절연막 상부에는 선택적 성장 도전층을 형성하고 상기 선택적 성장 도전층을 이용한 식각공정과 절연막 제거공정을 이용하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 후공정에서 충분한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 신뢰성을 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (13)
- 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 노출시키는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 전체표면상부에 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 다수의 제2절연막과 다수의 제2도전층을 형성하되 최상부에는 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 최상부의 제2절연막 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 이용하여 상기 제1도전층이 노출되도록 최상부로부터 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 제1도전층의 두께만큼 전면식각하는 공정과, 상기 다수의 제2절연막을 습식방법으로 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 실리콘질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 콘택마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 선택적 성장 도전층은 상기 최상부의 제2절연막에 도포되도록 과도 성장된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 제1,2도전층, 선택적 성장 도전층 및 제1절연막과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 상부에 다수의 도전층과 다수의 제2절연막을 주기적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 최상부에 형성된 제2절연막으로부터 상기 반도체기판이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀의 측벽을 형성하는 다수의 도전층을 일정두께 측면식각하는 공정과, 상기 도전층과 반도체기판을 선택성장시켜 선택적 성장 도전층을 형성하는 공정과, 상기 선택적 성장 도전층을 마스크로하여 최하부에 형성된 도전층이 노출되도록 건식식각하는 공정과, 상기 최하부에 형성된 도전층의 두께만큼 전면식각하는 공정과, 상기 다수의 제2절연막을 습식방법으로 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 제1절연막은 실리콘질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 측면식각은 상기 콘택홀의 측벽으로 각각 상기 콘택홀의 깊이의 반보다 크게 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 측면식각은 상기 콘택홀의 측벽으로 각각 상기 콘택홀의 깊이의 반만큼 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항, 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 측면식각은 상기 제1절연막 및 다수의 제2절연막과의 식각선택비 차이를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 선택성장공정은 과도성장시켜 상기 최상부의 제2절연막에 도포되도록 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2절연막 제거공정은 상기 도전층 및 선택적 성장 도전층과의 식각선택비 차이를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035143A KR960026816A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035143A KR960026816A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026816A true KR960026816A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035143A KR960026816A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026816A (ko) |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940035143A patent/KR960026816A/ko not_active Application Discontinuation
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