KR960036071A - 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 전자저장전극 형성방법에 관한 것으로, 식각선택비가 서로 다른 두가지의 산화막을 이용하여 전하저장전극의 유효표면적을 증대시키므로써 캐패시터의 정전용량을 극대화시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 졀연층을 형성한 후 전하저장전극용 콘택홀마스크를 이용한 사진 및 식각공정을 통해 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 콘택홀이 매립되도록 전체상부면에 제1폴리실리콘층을 형성한 후 소정의 마스크를 이용한 사진 및 식각공정을 통해 상기 제1폴리실리콘층을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 전체면에 제1산화막, 제2산화막 및 제1감광막을 순차적으로 형성한 후 소정의 마스크를 이용하여 상기 제1감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패터닝된 제1감광막을 마스크로 이용하여, 상기 제1산화막에 대하여 식각선택비가 큰 식각제를 이용하여 상기 제2산화학 및 제1산화막을 습식식각하는 단계와, 상기 단계로부터 전체상부면에 제2폴리실리콘층 및 제2감광막을 순차적으로 형성한 후 전하저장전극용 마스크를 이용하여 상기 제2감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패터닝된 제2감광막을 마스크로 이용한 건식 및 습식식각공정을 순차적으로 실시하여 노출된 제2폴리실리콘층, 잔류된 제2산화막 및 제1산화막을 제거한 후 상기 제2감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화막은 BPSG막이며, 상기 제2산화막은 TEOS막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화막에 대하여 식각선택비가 큰 식각제는 HF용액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007167A KR960036071A (ko) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007167A KR960036071A (ko) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960036071A true KR960036071A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950007167A KR960036071A (ko) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960036071A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375221B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 노드 형성방법 |
-
1995
- 1995-03-31 KR KR1019950007167A patent/KR960036071A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375221B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 노드 형성방법 |
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