KR960039214A - 모스 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트 전극용 전도막을 차례로 형성하는 단계; 상기 전도막상에 제1절연막을 형성하는 단계; 게이트 마스크를 사용하여 상기 제1절연막 및 전도막을 차례로 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제1절연막 및 전도막 측벽에 제2절연막으로 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1절연막을 제거하는 단계; 노출된 전도막 및 반도체 기판 표면에 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터제조 방법에 관한 것으로, 낮은 면저항을 갖는 게이트 및 얕은 접합이 형성된 고집적 반도체 소자의 모스 트랜지스터를 제조하여 소자의 고집적화 및 모스 트랜지스터의 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 일실시예에 따른 모스 트랜지스터 제조 공정도.
Claims (6)
- 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트 전극용 전도막을 차례로 형성하는 단계; 상기 전도막상에 제1절연막을 형성하는 단계; 게이트 마스크를 사용하여 상기 제1절연막 및 전도막을 차례로 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제1절연막 및 전도막 측벽에 제2절연막으로 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1절연막을 을 제거하는 단계; 노출된 전도막 및 반도체 기판 표면에 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 제1절연막은 PSG막인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
- 제2항에 있어서; 상기 스페이서 제2절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 전도막은 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
- 제4항에 있어서; 상기 금속막은 실리콘 또는 폴리실리콘 표면에서 선택적으로 형성된 텅스텐막인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
- 제5항에 있어서; 상기 텅스텐막을 선택적으로 형성하기 이전에 기판을 HF 용액에서 세정하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008279A KR960039214A (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008279A KR960039214A (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039214A true KR960039214A (ko) | 1996-11-21 |
Family
ID=66553442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008279A KR960039214A (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039214A (ko) |
-
1995
- 1995-04-10 KR KR1019950008279A patent/KR960039214A/ko not_active Application Discontinuation
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