KR960019654A - 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 - Google Patents

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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 관한 것으로, 필드산화막의 토폴러지를 감소시키기 위하여 필드산화막을 성장시킨후 상부의 질화막을 식각장벽으로 이용하여 필드산화막의 상부를 식각하므로써 토폴러지를 감소시키고 활성영역의 크기를 증가시켜 소자분리특성이 향상될수 있도록 한 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 필드산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드산화막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 패드 산화막 및 질화막을 순차적으로 형성시킨후 상기 질화막상에 필드영역이 확정되도록 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 질화막을 식각한후 상기 감광막패턴을 제거시키고 산화공정을 진행하여 상기 필드영역에 필드산화막을 성정시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막을 식각장벽으로 이용하여 노출된 필드산화막의 일부를 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막과 상기 패드 산화막을 순차적으로 제거하여 표면 평탄화를 이룬 필드 산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필드산화막 식각공정은 필드 산화막의 상부가 상기 실리콘 기판의 표면과 수평이 될때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 패드 산화막 식각공정시 상기 필드 산화막의 표면 평탄화와 활성영역의 크기를 증대시키기 위하여 과도식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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