KR950025875A - 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법에 관한 것으로서, 알루미늄으로된 하층 금속배선상에 형성되어 있는 절연막의 제거 공정을 고에너지 및 저에너지로 두차례 식각하여 하층 금속배선의 비아 콘택으로 예정된 부분을 노출시키는 비아 콘택홀을 형성한 후, 식각 공정시 생성된 폴리머성 산화물을 산소 플라스마로 제거하고, 상기 하층 금속배선의 손상된 표면을 SF6가스를 사용하여 제거하였으므로 하층 금속배선의 과식각정도의 조절이 용이하고 비아 콘택홀에 의해 노출되어 있는 하층 금속배선상에 산화 알루미늄의 생성이 방지되어 비아 콘택의 단선과 같은 불량이 방지되어 공정수율 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A)-(D)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 제조공정도.
Claims (2)
- 제1금속배선이 형성되어 있는 반도체기판의 전표면에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 상기 제1금속배선의 콘택으로 예정된 부분을 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 절연막의 두두께중 일부를 800W이상의 고에너지로 일차 건식식각하는 공정과, 상기 노출되어 있는 절연막의 나머지 두께를 200-500W정도의 저에너지로 이차 건식식각하여 제1금속배선의 콘택으로 예정된 부분을 노출시키는 비아 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 일차 및 이차 식각 공정에서 생성된 폴리머싱 산화물을 산소플라즈마로 제거하는 공정과, 상기 노출되어 있는 제1금속배선의 손상된 표면의 소정 두께를 제거하는 공정을 구비하는 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노출되어 있는 제1금속배선의 손상된 표면의 소정 두께를 제거하는 공정을 SF6가스를 사용하여 500W이하의 에너지로 20초 이내에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003451A KR950025875A (ko) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003451A KR950025875A (ko) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025875A true KR950025875A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66689842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940003451A KR950025875A (ko) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 반도체소자의 금속배선 비아 콘택홀 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025875A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431433B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2004-07-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
| KR100507281B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2005-08-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 비아홀 형성 방법 |
| KR100752189B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-08-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-02-25 KR KR1019940003451A patent/KR950025875A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431433B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2004-07-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
| KR100507281B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2005-08-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 비아홀 형성 방법 |
| KR100752189B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-08-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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