KR950001407A - 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950001407A KR950001407A KR1019930009939A KR930009939A KR950001407A KR 950001407 A KR950001407 A KR 950001407A KR 1019930009939 A KR1019930009939 A KR 1019930009939A KR 930009939 A KR930009939 A KR 930009939A KR 950001407 A KR950001407 A KR 950001407A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- mark
- metal film
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 소정의 절연막(11)을 정렬도 외측마크(B)가 형성된 마스크를 사용하여 소정의 깊이로 식각한 상태에서 소정의 금속막(12)을 중착하고, 상기 금속막(12)을 상기 절연막(11)의 식각된 부분의 중심부분에 패턴화하기 위하여, 상기 금속막(12)의 상부에 네가티브 레지스트(13)를 도포한 다음, 상기 정렬도 외측마크(B)의 경계면 안쪽에 정렬도 내측마크(A)가 형성된 마스크를 상기 네가티브 레지스트(13) 상부에 위치시켜 노광공정을 실시하고, 상기 노광시킨 네가티브 레지스트(13)를 습식식각공정으로 레지스트(13)의 노광된 부위를 제외한 부분을 식각하여 레지스트 패턴을 형성하므로써, 공정을 단순화할 수 있고, 레지스트 스트립시 발생하는 실리콘 산화물로 인한 스트립퍼 챔버(Chamber) 내부의 오염을 방지하며, 형성된 레지스트 패턴이 오정렬 되었을 경우 기존의 스트립퍼로 쉽게 제거할 수 있도록 한 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 기술한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 네가티브 공정용 마스크상의 정렬도 측정 마크를 나타낸 평면도.
Claims (1)
- 소정의 절연막(11)을 정렬도 외측마크(B)가 형성된 마스크를 사용하여 소정의 깊이로 식각한 상태에서 소정의 금속막(12)을 증착하고, 상기 금속막(12)을 상기 절연막(11)의 식각된 부분의 중심부분에 페턴화하기 위한 반도체소자의 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 상기 금속막(12)의 상부에 네가티브 레지스트(13)를 도포한 다음, 상기 정렬도외측마크(B)의 경계면 안쪽에 정렬도 내측마크(A)가 형성된 마스크를 상기 네가티브 레지스트(13) 상부에 위치시켜 노광공정을 실시하고, 상기 노광시킨 네가티브 레지스트(13)를 습식식각공정으로 레지스트(13)의 노광된 부위를 제외한 부분을 식각하여 레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930009939A KR960010726B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930009939A KR960010726B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950001407A true KR950001407A (ko) | 1995-01-03 |
KR960010726B1 KR960010726B1 (ko) | 1996-08-07 |
Family
ID=19356697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930009939A KR960010726B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960010726B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100251429B1 (ko) * | 1995-04-07 | 2000-04-15 | 구마노에이스께 | 액체 연료 조성물 |
KR20020032220A (ko) * | 2000-10-26 | 2002-05-03 | 박상재 | 에멀젼 연료유 조성물 |
-
1993
- 1993-06-03 KR KR1019930009939A patent/KR960010726B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100251429B1 (ko) * | 1995-04-07 | 2000-04-15 | 구마노에이스께 | 액체 연료 조성물 |
KR20020032220A (ko) * | 2000-10-26 | 2002-05-03 | 박상재 | 에멀젼 연료유 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960010726B1 (ko) | 1996-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950000658B1 (en) | Forming method of contact hole in semiconductor devices | |
KR950001407A (ko) | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 | |
JPS643663A (en) | Forming method for fine pattern | |
KR950021063A (ko) | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 | |
JPS55130140A (en) | Fabricating method of semiconductor device | |
JPS6473087A (en) | Formation of metallic pattern | |
JPS5461876A (en) | Etching method of insulation film of semiconductor device | |
JPS5693331A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
KR980005899A (ko) | 포토레지스트의 스트리핑방법 | |
KR900017174A (ko) | 반도체의 미세패턴 형성방법 | |
KR960026578A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
KR940016671A (ko) | 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법 | |
KR900002420A (ko) | 선택적 측면벽 도핑기술(sswdt)을 이용한 반도체 소자의 고농도 소스영역 및 캐패시터 표면영역 형성방법 | |
JPS5656633A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
KR930003356A (ko) | 트렌치 커패시터 제조방법 | |
KR960002487A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법 | |
KR970052224A (ko) | 반도체 장치의 접촉장 형성방법 | |
KR980005303A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
KR970018041A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
KR970003471A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR950025913A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
KR970013155A (ko) | 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 | |
KR940002974A (ko) | 식각선택비가 향상된 단층레지스트 패턴 형성방법 | |
KR940016470A (ko) | 경사면을 갖는 콘택홀 형성방법 | |
JPS5690537A (en) | Formation of wiring layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050721 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |