KR950001407A - 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 소정의 절연막(11)을 정렬도 외측마크(B)가 형성된 마스크를 사용하여 소정의 깊이로 식각한 상태에서 소정의 금속막(12)을 중착하고, 상기 금속막(12)을 상기 절연막(11)의 식각된 부분의 중심부분에 패턴화하기 위하여, 상기 금속막(12)의 상부에 네가티브 레지스트(13)를 도포한 다음, 상기 정렬도 외측마크(B)의 경계면 안쪽에 정렬도 내측마크(A)가 형성된 마스크를 상기 네가티브 레지스트(13) 상부에 위치시켜 노광공정을 실시하고, 상기 노광시킨 네가티브 레지스트(13)를 습식식각공정으로 레지스트(13)의 노광된 부위를 제외한 부분을 식각하여 레지스트 패턴을 형성하므로써, 공정을 단순화할 수 있고, 레지스트 스트립시 발생하는 실리콘 산화물로 인한 스트립퍼 챔버(Chamber) 내부의 오염을 방지하며, 형성된 레지스트 패턴이 오정렬 되었을 경우 기존의 스트립퍼로 쉽게 제거할 수 있도록 한 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 기술한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 네가티브 공정용 마스크상의 정렬도 측정 마크를 나타낸 평면도.
Claims (1)
- 소정의 절연막(11)을 정렬도 외측마크(B)가 형성된 마스크를 사용하여 소정의 깊이로 식각한 상태에서 소정의 금속막(12)을 증착하고, 상기 금속막(12)을 상기 절연막(11)의 식각된 부분의 중심부분에 페턴화하기 위한 반도체소자의 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 상기 금속막(12)의 상부에 네가티브 레지스트(13)를 도포한 다음, 상기 정렬도외측마크(B)의 경계면 안쪽에 정렬도 내측마크(A)가 형성된 마스크를 상기 네가티브 레지스트(13) 상부에 위치시켜 노광공정을 실시하고, 상기 노광시킨 네가티브 레지스트(13)를 습식식각공정으로 레지스트(13)의 노광된 부위를 제외한 부분을 식각하여 레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930009939A KR960010726B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930009939A KR960010726B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950001407A true KR950001407A (ko) | 1995-01-03 |
| KR960010726B1 KR960010726B1 (ko) | 1996-08-07 |
Family
ID=19356697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019930009939A KR960010726B1 (ko) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960010726B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100251429B1 (ko) * | 1995-04-07 | 2000-04-15 | 구마노에이스께 | 액체 연료 조성물 |
| KR20020032220A (ko) * | 2000-10-26 | 2002-05-03 | 박상재 | 에멀젼 연료유 조성물 |
-
1993
- 1993-06-03 KR KR1019930009939A patent/KR960010726B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100251429B1 (ko) * | 1995-04-07 | 2000-04-15 | 구마노에이스께 | 액체 연료 조성물 |
| KR20020032220A (ko) * | 2000-10-26 | 2002-05-03 | 박상재 | 에멀젼 연료유 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960010726B1 (ko) | 1996-08-07 |
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