KR970003471A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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KR970003471A
KR970003471A KR1019950016408A KR19950016408A KR970003471A KR 970003471 A KR970003471 A KR 970003471A KR 1019950016408 A KR1019950016408 A KR 1019950016408A KR 19950016408 A KR19950016408 A KR 19950016408A KR 970003471 A KR970003471 A KR 970003471A
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KR1019950016408A
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백성학
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형성시 네가티브콘택 마스크를 사용하여 콘택홀을 형성하고, 낮은온도로 산화막을 증착한 후 포지티브콘택 마스크를 사용하여 콘택홀을 형성한 후, 습식식각 공정을 실시하고, 이후 감광막을 제거하여 콘택홀을 형성하도록 하므로써, 깊이가 서로다른 콘택홀 형성공정시 깊이가 낮은 콘택에서의 과다식각으로 인한 소자 오류의 발생 원인이 제거되어 제품의 신뢰성 및 수율이 향상되도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 실리콘 기판에 소정의 공정을 거쳐 접합부 및 필드 산화막을 형성하고, 상기 필드 산화막 상부에 폴리 게이트가 형성되며, 상기 폴리 게이트를 포함하는 실리콘 기판 전체상부에 네가티브 포토레지스트를 형성하는 단계와, 네가티브 콘택 마스크를 사용한 노광공정을 실시하는 단계와, 상기 비노광된 부분을 제거한 후 상기 노광된 부분을 포함하는 전체상부에 낮은온도로 산화막을 형성하는 단계와, 상기 전체상부에 포지티브 포토레지스트를 형성하는 단계와, 포지티브 콘택 마스크를 사용한 노광공정을 실시하는 단계와, 상기 포지티브 포토레지스트의 노광된 부분을 습식식각으로 식각하여 상기 네가티브 포토레지스트의 노광된 부분이 노출되도록 상기 산화막을 식각하는 단계와, 상기 포지티브 포토레지스트의 비노광된 부분을 식각한 후 네가티브 포토레지스트의 노광된 부분 식각하여 완전한 콘택이 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 네가티브 콘택 마스크를 사용한 노광공정을 실시하므로서 상기 네가티브 포토레지스트가 비노광된 부분과 노광된 부분으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포지티브 콘택 마스크를 사용한 노광공정을 실시하므로서 상기 포지티브 포토레지스트가 비노광된 부분과 노광된 부분으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016408A 1995-06-20 1995-06-20 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 KR970003471A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230009642A (ko) 2021-07-09 2023-01-17 최규현 원터치 결속형 다용도 마개

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