KR100198599B1 - 반도체 소자의 정렬 및 노광방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 공정을 단순화시킬 수 있는 반도체 소자의 정렬 및 노광 방법에 관한 것으로, 기판 위에 산화막을 성장시키고 그 위에 감광제를 도포하는 공정과, 상기 감광제에 제1노광 에너지로 노광하여 정렬키 부분을 정의하고, 상기 제1노광 에너지 보다 작은 제2노광 에너지로 노광하여 패턴부분을 정의하는 공정과, 상기 감광제의 정렬키 부분과 패턴부분을 현상하여 제거하고, 상기 잔류된 감광막을 마스크로 상기 산화막을 식각한 후 감광제를 제거하는 공정을 차례로 실시하여 이루어진다.

Description

반도체 소자의 정렬 및 노광 방법

제1도는 종래의 공정단면도.

제2도는 본 발명의 공정단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 산화막

3 : 감광제 4 : 정렬키 부분

5 : 패턴부분

본 발명은 반도체 소자의 정렬 및 노광 방법에 관한 것으로, 특히 제로 마스크 사용할 때의 공정단순화를 이룰 수 있도록 한 것이다.

일반적으로 제로 마스크란 반도체 제조 공정중의 정렬 및 노광 공정시 구조가 다른 노광장치(예를 들면 스테퍼 장치)를 혼용할 시 노광 공정의 첫번째층을 스테퍼 장치로 노광해야 할 경우 블라인드(Blind) 노광시의 스테핑 어큐러시(Stepping Accuracy)를 향상시키기 위해 첫번째층 이전에 주사 투영 정렬키를 사용하여 웨이퍼에 정렬키(Align Key)만을 형성하기 위해 사용하는 마스크를 말한다.

종래의 제로 마스크 사용할 때의 공정은 제1도 (a)와 같이 기판(1) 위에 산화막(2)을 성장시키고 감광제(3)을 도포한 후, (b)와 같이 정렬키 부분(4)을 노광시키고 (c)와 같이 현상하여 감광제(3)의 정렬키 부분(4)을 제거한다.

그리고 (d)와 같이 노광하여 패턴부분(5)을 형성하고, (e)와 같이 감광제(3)의 패턴부분(5)을 현상하고, (f)와 같이 산화막(2)을 식각한 후 감광제(3)를 제거한다.

그러나, 종래에는 구조가 다른 노광장치를 혼용하여 제로 마스크를 사용할 경우 제1도 (c)(e)와 같은 이중 현상 공정을 거쳐야 하고 이러한 이중 현상 공정을 실시하기가 곤란할 때에는 더미 필름형성, 포토/에치 공정 등을 거쳐야 하는 결점이 있다.

본 발명은 이와 같은 종래의 결점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 이중 현상 공정을 거치지 않고 한 번의 현상 공정만을 실시하므로 공정을 단순화시키는데 그 목적이 있다.

이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 제2도에 의하여 상술하면 다음과 같다.

먼저 (a)와 같이 기판(1) 위에 산화막(2)을 성장시키고 그 위에 감광제(3)를 도포한 후 (b)와 같이 감광제(3)를 제1노광 에너지로 노광하여 정렬키 부분(4)을 정의한다.

그리고 (c)와 같이, 상기 제1노광 에너지 보다 작은 제2노광 에너지로 감광제(3)를 노광하여 패턴부분(5)을 정의하고, (d)와 같이, 상기 감광제(3)의 정렬키 부분(4)과 패턴부분을 현상하여 제거하고, (e)와 같이 잔류된 감광제(3)를 마스크로 이용하여 상기 산화막(2)을 식각한 후 감광제(3)를 제거한다.

이와 같이 본 발명에 의하면 노광 에너지를 다르게 하여 노광된 부분의 감광제(3)의 성분을 변화시킴으로써 첫번째층을 스테퍼 장치로 노광하여 정렬키 부분을 형성할 수 있으며, 두 번의 현상공정을 할 필요가 없어 공정이 단순해지는 장점이 있다.

Claims (1)

1. 기판 위에 산화막을 성장시키고 그 위에 감광제를 도포하는 공정과, 상기 감광제에 제1노광 에너지로 노광하여 정렬키 부분을 정의하고, 상기 제1노광 에너지 보다 작은 제2노광 에너지로 노광하여 패턴부분을 정의하는 공정과, 상기 감광제의 정렬키 부분과 패턴부분을 현상하여 제거하고, 상기 잔류된 감광막을 마스크로 상기 산화막을 식각한 후 감광제를 제거하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬 및 노광 방법.