KR930003356A - 트렌치 커패시터 제조방법 - Google Patents

트렌치 커패시터 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930003356A
KR930003356A KR1019910011804A KR910011804A KR930003356A KR 930003356 A KR930003356 A KR 930003356A KR 1019910011804 A KR1019910011804 A KR 1019910011804A KR 910011804 A KR910011804 A KR 910011804A KR 930003356 A KR930003356 A KR 930003356A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
substrate
manufacturing
oxide film
trench
Prior art date
Application number
KR1019910011804A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930010112B1 (ko
Inventor
노재성
Original Assignee
문정환
금성 일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성 일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019910011804A priority Critical patent/KR930010112B1/ko
Publication of KR930003356A publication Critical patent/KR930003356A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930010112B1 publication Critical patent/KR930010112B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

트렌치 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 트랜치 커패시터 제조공정도 및 평면도.

Claims (1)

  1. 실리콘 기판(1)을 식각하여 트렌치를 형성하고 이 트렌치에 커패시터를 제조하는 방법에 있어서, 커패시터 영역을 정의한 후 실리콘기판(1)을 1차 식각하여 질화막(3)을 증착하는 공정과, 트렌치 내벽에 질화막(3)을 패터닝하고 증착될 산화막(4)의 기계적 안정성을 위한 기판(1)의 2차 식각공정과, 산화막(4)을 증착하여 3차 실리콘 식각시 마스크가 될부분인 기판(1) 표면과 질화막(3)내벽에 산화막(4) 패턴 형성과 습식식각에 의해 질화막(3)을 제거하는 공정과, 산화막(4)을 마스크로 하여 기판(1)을 3차 식각하여 트렌치 공정을 완성한 뒤 유전체막(5)을 형성하고 플레이트 폴리실리콘(5) 증착하는 공정을 차례로 실시하여 제조함을 특징으로 하는 트렌치 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011804A 1991-07-11 1991-07-11 트랜치 커패시터 제조방법 KR930010112B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011804A KR930010112B1 (ko) 1991-07-11 1991-07-11 트랜치 커패시터 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011804A KR930010112B1 (ko) 1991-07-11 1991-07-11 트랜치 커패시터 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930003356A true KR930003356A (ko) 1993-02-24
KR930010112B1 KR930010112B1 (ko) 1993-10-14

Family

ID=19317116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910011804A KR930010112B1 (ko) 1991-07-11 1991-07-11 트랜치 커패시터 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930010112B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030021619A (ko) * 2001-09-07 2003-03-15 주식회사 효성 폴리에스터 섬유의 제조방법
KR100404545B1 (ko) * 2001-06-29 2003-11-05 주식회사 효성 폴리에스터 극세 섬유의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100404545B1 (ko) * 2001-06-29 2003-11-05 주식회사 효성 폴리에스터 극세 섬유의 제조방법
KR20030021619A (ko) * 2001-09-07 2003-03-15 주식회사 효성 폴리에스터 섬유의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR930010112B1 (ko) 1993-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940009759A (ko) 반도체 장치의 필드 산화막 형성 방법
KR930003356A (ko) 트렌치 커패시터 제조방법
KR890004415A (ko) 반도체장치의 소자 분리방법
KR900002422A (ko) 측면벽 도핑기술(sswdt)을 이용한 반도체소자의 고농도 소스영역 및 캐패시터 표면영역 형성방법과 그 반도체 집적소자
KR930008883B1 (ko) 스택 커패시터 제조방법
KR940016887A (ko) 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법
KR930015006A (ko) 디램의 커패시터 제조방법
KR920013662A (ko) 다양한 로컬폴리 산화물을 이용한 격리의 제조방법
KR920015550A (ko) 커패시터의 제조 방법
KR940016610A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법
KR960026122A (ko) 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법
KR970053021A (ko) 반도체 소자의 형성 방법
KR930006915A (ko) 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
KR940015674A (ko) 폴리실리콘 패턴시 발생되는 폴리머 제거방법
KR910019127A (ko) 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법
KR900017103A (ko) Fet의 게이트전극 미세패턴 형성방법
KR960009172A (ko) 적층형 캐패시터 제조방법
KR930006883A (ko) Mlr 구조를 이용한 아이소레이션 버즈비크의 제거방법
KR920010917A (ko) 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법
KR930014998A (ko) Dram 셀의 트랜치 캐패시터 제조방법
KR950012726A (ko) 캐패시터의 전하저장전극 형성방법
KR900002421A (ko) 선택적 측면벽 도핑기술(sswdt)을 이용한 반도체 소자의 고농도 소스영역 및 캐패시터 표면영역 형성방법
KR930018721A (ko) 디램 셀의 캐패시터 저장전극 제조방법
KR920005390A (ko) 고집적 모스소자의 커패시터 제조방법
KR970053811A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020918

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee