KR930003356A - 트렌치 커패시터 제조방법 - Google Patents
트렌치 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930003356A KR930003356A KR1019910011804A KR910011804A KR930003356A KR 930003356 A KR930003356 A KR 930003356A KR 1019910011804 A KR1019910011804 A KR 1019910011804A KR 910011804 A KR910011804 A KR 910011804A KR 930003356 A KR930003356 A KR 930003356A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- manufacturing
- oxide film
- trench
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 트랜치 커패시터 제조공정도 및 평면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판(1)을 식각하여 트렌치를 형성하고 이 트렌치에 커패시터를 제조하는 방법에 있어서, 커패시터 영역을 정의한 후 실리콘기판(1)을 1차 식각하여 질화막(3)을 증착하는 공정과, 트렌치 내벽에 질화막(3)을 패터닝하고 증착될 산화막(4)의 기계적 안정성을 위한 기판(1)의 2차 식각공정과, 산화막(4)을 증착하여 3차 실리콘 식각시 마스크가 될부분인 기판(1) 표면과 질화막(3)내벽에 산화막(4) 패턴 형성과 습식식각에 의해 질화막(3)을 제거하는 공정과, 산화막(4)을 마스크로 하여 기판(1)을 3차 식각하여 트렌치 공정을 완성한 뒤 유전체막(5)을 형성하고 플레이트 폴리실리콘(5) 증착하는 공정을 차례로 실시하여 제조함을 특징으로 하는 트렌치 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910011804A KR930010112B1 (ko) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 트랜치 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910011804A KR930010112B1 (ko) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 트랜치 커패시터 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930003356A true KR930003356A (ko) | 1993-02-24 |
KR930010112B1 KR930010112B1 (ko) | 1993-10-14 |
Family
ID=19317116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910011804A KR930010112B1 (ko) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 트랜치 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR930010112B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030021619A (ko) * | 2001-09-07 | 2003-03-15 | 주식회사 효성 | 폴리에스터 섬유의 제조방법 |
KR100404545B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2003-11-05 | 주식회사 효성 | 폴리에스터 극세 섬유의 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-11 KR KR1019910011804A patent/KR930010112B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100404545B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2003-11-05 | 주식회사 효성 | 폴리에스터 극세 섬유의 제조방법 |
KR20030021619A (ko) * | 2001-09-07 | 2003-03-15 | 주식회사 효성 | 폴리에스터 섬유의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR930010112B1 (ko) | 1993-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940009759A (ko) | 반도체 장치의 필드 산화막 형성 방법 | |
KR930003356A (ko) | 트렌치 커패시터 제조방법 | |
KR890004415A (ko) | 반도체장치의 소자 분리방법 | |
KR900002422A (ko) | 측면벽 도핑기술(sswdt)을 이용한 반도체소자의 고농도 소스영역 및 캐패시터 표면영역 형성방법과 그 반도체 집적소자 | |
KR930008883B1 (ko) | 스택 커패시터 제조방법 | |
KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
KR930015006A (ko) | 디램의 커패시터 제조방법 | |
KR920013662A (ko) | 다양한 로컬폴리 산화물을 이용한 격리의 제조방법 | |
KR920015550A (ko) | 커패시터의 제조 방법 | |
KR940016610A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 | |
KR960026122A (ko) | 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법 | |
KR970053021A (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
KR930006915A (ko) | 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR940015674A (ko) | 폴리실리콘 패턴시 발생되는 폴리머 제거방법 | |
KR910019127A (ko) | 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 | |
KR900017103A (ko) | Fet의 게이트전극 미세패턴 형성방법 | |
KR960009172A (ko) | 적층형 캐패시터 제조방법 | |
KR930006883A (ko) | Mlr 구조를 이용한 아이소레이션 버즈비크의 제거방법 | |
KR920010917A (ko) | 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법 | |
KR930014998A (ko) | Dram 셀의 트랜치 캐패시터 제조방법 | |
KR950012726A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 형성방법 | |
KR900002421A (ko) | 선택적 측면벽 도핑기술(sswdt)을 이용한 반도체 소자의 고농도 소스영역 및 캐패시터 표면영역 형성방법 | |
KR930018721A (ko) | 디램 셀의 캐패시터 저장전극 제조방법 | |
KR920005390A (ko) | 고집적 모스소자의 커패시터 제조방법 | |
KR970053811A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020918 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |