KR930006883A - Mlr 구조를 이용한 아이소레이션 버즈비크의 제거방법 - Google Patents

Mlr 구조를 이용한 아이소레이션 버즈비크의 제거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 MLR(Multi Layer Resist)구조를 이용한 아이소레이션 버즈 비크(Isolation Bird's Beak)의 제거방법에 관한 것으로, 특히 고집적 MOS 기숭에 적합하도록 한 아이소레이션 버즈 비크 최소한 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는 MLR(Multi Layer Resist)구조를 이용한 아이소레이션 버즈 비크의 제거 방법에 있어서, 실리콘 기판위에 배이스 산화막을 얇게 입히고 다시 제1질화막을 데포지션 한 다음 포토 레지스트 공정을 수행하는 단계(a)와, 아이소레이션 영역이 될 부분의 상기 제1질화막은 건식식각하고 상기 베이스 산화막은 습식 식각한 다음, 얇은 제2질화막을 입히고 바텀 PR, 중간층 물질(SOG) 및 톱 PR로 구성된 MLR(Multi Layer Resist)구조를 코팅하는 단계(b)와, 이 MLR 구조중 톱 PR 물질에 미세 패턴을 만들고 바텀PR까지 건식 식각한 다음 트랜치(실리콘)을 적당히 전식식각하는 단계(c)와, 톱 PR, 중간층 물질(SOG) 및 바텀 PR을 제거하고 열 산화를 실시하는 단계(d)를 구비하는 것을 특징으로 하는 MLR 구조를 이용한 아이소레이션 버즈 비크의 제거방법이다.

Description

MLR 구조를 이용한 아이소레이션 버즈비크의 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 아이소레이션 버즈 비크의 제조방법.

Claims (1)

  1. MLR(Multi Layer Resist)구조를 이용한 아이소레이션 버즈 비크의 제거 방법에 있어서, 실리콘 기판위에 배이스 산화막을 얇게 입히고 다시 제1질화막을 데포지션 한 다음 포토 레지스트 공정을 수행하는 단계(a)와, 아이소레이션 영역이 될 부분의 상기 제1질화막은 건식식각하고 상기 베이스 산화막은 습식 식각한 다음, 얇은 제2질화막을 입히고 바텀 PR, 중간층 물질(SOG) 및 톱 PR로 구성된 MLR(Multi Layer Resist)구조를 코팅하는 단계(b)와, 이 MLR 구조중 톱 PR 물질에 미세 패턴을 만들고 바텀PR까지 건식 식각한 다음 트랜치(실리콘)을 적당히 전식식각하는 단계(c)와, 톱 PR, 중간층 물질(SOG) 및 바텀 PR을 제거하고 열 산화를 실시하는 단계(d)를 구비하는 것을 특징으로 하는 MLR 구조를 이용한 아이소레이션 버즈 비크의 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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