KR940008045A - 반도체 장치의 소자 절연 방법 - Google Patents

반도체 장치의 소자 절연 방법 Download PDF

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KR940008045A
KR940008045A KR1019920017117A KR920017117A KR940008045A KR 940008045 A KR940008045 A KR 940008045A KR 1019920017117 A KR1019920017117 A KR 1019920017117A KR 920017117 A KR920017117 A KR 920017117A KR 940008045 A KR940008045 A KR 940008045A
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한경섭
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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Abstract

본 발명은 64MDRAM급 이상의 반도체 장치내 소자를 절연할 수 있는 반도체 장치의 소자 절연 방법에 관한 것으로, 종래에는 소자 격리 영역이 컸기 때문에 반도체 장치를 고집적화 할 수 없었으나, 본 발명에서는 소자격리 영역을 줄여 각 소자 영역을 작게 하며 버드 비크의 크기를 작게 하므로써 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.

Description

반도체 장치의 소자 절연 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 소자 절연을 설명하기 위한 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 기판(10)위에 산화막(11), 나이트라이드(12), HSG막(13), 하부 포토레지스터(14), SOG막(15)을 차례로 형성하고, 소자격리 영역을 제외한 표면에 상부 포토레지스트(16)를 형성하는 단계와, 상기 소자격리 영역의 SOG막(15)을 제거하고, 상기 상부 포토레지스트(16) 및 소자격리 영역의 하부 포토레지스터(14)를 제거한 후 하부 포토레지스터(14) 및 SOG막(15)의 측벽에 나이트라이드(17)를 형성하는 단계와, 상기 하부 포토레지스터(14) 상측의 SOG막(15) 및 나이트라이드(17)를 제거하고, HSG막(13)의 위로 향한 반구영역을 제외한 소자격리 영역의 각막(11~13)을 제거하는 단계와, 상기 반구 영역을 제외한 소자격리 영역의 가판(10) 상부를 식각하여 “W”자 형태의 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 막(13~15) 및 나이트라이드(17)를 제거하고, 트렌치를 필드 옥시데이션하여 절연층(18)을 형성한후 산화막(11), 나이트라이드(12)를 제거하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 반도체 장치의 소자 절연방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230746B1 (ko) * 1996-11-22 1999-11-15 김영환 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법(Method for isolating semiconductordevice)

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