KR940008045A - 반도체 장치의 소자 절연 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 64MDRAM급 이상의 반도체 장치내 소자를 절연할 수 있는 반도체 장치의 소자 절연 방법에 관한 것으로, 종래에는 소자 격리 영역이 컸기 때문에 반도체 장치를 고집적화 할 수 없었으나, 본 발명에서는 소자격리 영역을 줄여 각 소자 영역을 작게 하며 버드 비크의 크기를 작게 하므로써 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 소자 절연을 설명하기 위한 공정 단면도.
Claims (1)
- 기판(10)위에 산화막(11), 나이트라이드(12), HSG막(13), 하부 포토레지스터(14), SOG막(15)을 차례로 형성하고, 소자격리 영역을 제외한 표면에 상부 포토레지스트(16)를 형성하는 단계와, 상기 소자격리 영역의 SOG막(15)을 제거하고, 상기 상부 포토레지스트(16) 및 소자격리 영역의 하부 포토레지스터(14)를 제거한 후 하부 포토레지스터(14) 및 SOG막(15)의 측벽에 나이트라이드(17)를 형성하는 단계와, 상기 하부 포토레지스터(14) 상측의 SOG막(15) 및 나이트라이드(17)를 제거하고, HSG막(13)의 위로 향한 반구영역을 제외한 소자격리 영역의 각막(11~13)을 제거하는 단계와, 상기 반구 영역을 제외한 소자격리 영역의 가판(10) 상부를 식각하여 “W”자 형태의 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 막(13~15) 및 나이트라이드(17)를 제거하고, 트렌치를 필드 옥시데이션하여 절연층(18)을 형성한후 산화막(11), 나이트라이드(12)를 제거하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 반도체 장치의 소자 절연방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920017117A KR950012917B1 (ko) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | 반도체 장치의 소자 절연 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920017117A KR950012917B1 (ko) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | 반도체 장치의 소자 절연 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR940008045A true KR940008045A (ko) | 1994-04-28 |
KR950012917B1 KR950012917B1 (ko) | 1995-10-23 |
Family
ID=19339825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019920017117A KR950012917B1 (ko) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | 반도체 장치의 소자 절연 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950012917B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100230746B1 (ko) * | 1996-11-22 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법(Method for isolating semiconductordevice) |
-
1992
- 1992-09-19 KR KR1019920017117A patent/KR950012917B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100230746B1 (ko) * | 1996-11-22 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법(Method for isolating semiconductordevice) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950012917B1 (ko) | 1995-10-23 |
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