KR950021379A - 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판(1)에 차례로 패드산화막(2), 질화막(3)을 차례로 형성하여 필드산화막을 형성할 위치를 제외하고 감광막(4)을 소정의 크기로 형성하는 단계; 상기 감광막(4)을 이용하여 질화막(3)을 소정부위 식각하여 패드산화막(2)을 노출시키고 제1필드산화막(5)을 형성하는 단계;잔류되어 있는 상기 질화막(3)을 식각 마스크로 하여 필드산화막(5)을 건식식각 하는 단계; 필드영역을 다시한번 산화시켜 제2필드산화막(6)을 형성하는 단계; 잔류되어 있는 질화막(3)을 제거하고 반도체 기판(1)상부 표면을 펴안화 하여 제3필드산화막(6′)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법으로, 한번의 식각공정과 한번의 산화공정의 추가하여 소자간의 격리를 충족시킬 수 있는 필드산화막을 제조할 수 있으며, 또한, 반도체 기판의 표면을 평탄화 할 수 있어 후속 공정의 수행을 용이하게 이루어 반도체 소자의 신뢰도 및 고집적 소자를 이룰 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 필드산화막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 및 제2F도는 본 발명에 따른 필드산화막 제조 공정단면도이다.

Claims (1)

1. 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 있어서, 반도체 기판(1)에 차례로 패드산화막(2), 질화막(3)을 차례로 형성하여 필드산화막을 형성할 위치를 제외하고 마스크층(4)을 소정의 크기로 형성하는 단계; 상기 마스크층(4)을 이용하여 질화막(4)을 소정부위 식각하여 패드산화막(2)을 노출시키고 제1필드산화막(5)을 형성하는 단계; 잔류되어 있는 상기 질화막(3)을 식각 마스크로 하여 필드산화막(5)을 건식식각 하는 단계;필드영역을 다시한번 산화시켜 제2필드산화막(6)을 형성하는 단계; 잔류되어 있는 질화막(3)을 제거하고 반도체 기판(1) 상부 표면을 평탄화 하여 제3필드산화막(6′)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.

   ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.