KR980006104A - 반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법을 개시한다. 개시된 반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법은 실리콘 기판상에 패드 산화막 및 질화막을 순차적으로 증착하는 단계; 질화막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 마스크 패턴의 형태로 질화막을 패터닝 하는 단계; 질화막을 습식 식각하는 단계; 실리콘 기판내에 트렌치를 형성하는 단계; 마스크 패턴으로 사용된 감광막을 스트립하는 단계; 전체 구조물의 상부에 트렌치 매립용 산화막을 증착하는 단계; 및 폴리싱을 실시하여 전체 구조물을 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (2)

  1. 실리콘 기판상에 패드 산화막 및 질화막을 순차적으로 증착하는 단계; 질화막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 마스크 패턴의 형태로 질화막을 패터닝하는 단계; 질화막을 습식 식각하는 단계; 실리콘 기판내에 트렌치를 형성하는 단계; 마스크 패턴으로 사용된 감광막을 스트립하는 단계; 전체 구조물의 상부에 트렌치 매립용 산화막을 증착하는 단계; 및 폴리싱을 실시하여 전체 구조물을 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패드 산화막은 질화막의 습식 식각시 실리콘 기판을 보호하도록 질화막의 패터닝시 일부를 제거하고, 트렌치 형성시 잔류 패드 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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