KR970018151A - 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법 - Google Patents
반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘 기판 상에 산화막과 메탈층이 적층된 반도체장치의 실리콘질화막으로 형성된 패시베이션막을 제거하는 방법에 관한 것으로서, 상기 실리콘질화막 형성시 표면에 자연적으로 형성된 자연산화막 상부에 감광막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 자연산화막을 습식 에칭하는 단계와; 노출된 실리콘질화막을 실리콘 기판이 노출될 때까지 건식 에칭하는 단계와; 실리콘 기판을 에싱(Ashing)한 후 감광막을 제거하는 단계로 구성되어 있어, 패시베이션으로 사용하는 실리콘질화막을 상부에 자연적으로 형성된 자연산화막을 습식 에칭으로 먼저 제거한 다음 건식 에칭 함으로써 종래의 문제점 즉, 반도체 장치의 패시베이션막을 제거할 때 발생하는 실리콘 기판 상부의 부분적인 에칭, 구체적으로는 스크라이브 라인 표면의 부분 에칭이 일어나지 않도록 함으로써 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 패시베이션막 제거 공정순서도.
Claims (3)
- 실리콘 기판 상에 산화막과 메탈층이 적층된 반도체 장치 구조에 실리콘질화막으로 형성된 패시베이션막을 제거하는 방법에 있어서, 상기 실리콘질화막 형성시 표면에 자연적으로 형성된 자연산화막 상부에 감광막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 자연산화막을 습식 에칭하는 단계와; 노출된 실리콘질화막을 실리콘 기판이 노출된 때까지 건식 에칭하는 단계와; 실리콘 기판을 에싱(Ashing)한 후 감광막을 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법.
- 제1항에 있어서, 자연산화막 에칭은 패드 에칭인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법.
- 제1항에 있어서, 자연산화막 에칭 후 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033263A KR970018151A (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033263A KR970018151A (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018151A true KR970018151A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66583417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950033263A KR970018151A (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 반도체 장치의 패시베이션막 제거 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018151A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506387B1 (ko) * | 2000-07-21 | 2005-08-10 | 주식회사 포스코 | 이중 전기도금방법 |
-
1995
- 1995-09-30 KR KR1019950033263A patent/KR970018151A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506387B1 (ko) * | 2000-07-21 | 2005-08-10 | 주식회사 포스코 | 이중 전기도금방법 |
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