KR970018080A - 반도체장치의 콘택형성방법 - Google Patents
반도체장치의 콘택형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 콘택형성방법에 관한 것으로, 콘택형성을 위한 건식식각 후 실리콘기판의 손상으로 인한 금속막의 들뜸 현상을 방지하기 위한 것이다.
본 발명은 실리콘기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 소정의 감광막패턴을 형성하는 공정, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 절연막을 건식식각하여 콘택영역을 정의하는 공정, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정, 기판 전면에 질화막을 형성하는 공정, 상기 질화막을 선택적으로 식각하여 상기 콘택영역을 포함한 기판 소정영역을 노출시키는 공정, 산화공정을 행하여 상기 콘택영역을 포함한 상기 질화막이 식각된 부분에 산화막을 형성하는 공정, 상기 산화막을 불산용액을 이용한 습식식각에 의해 제거하는 공정, 상기 절연막을 제거하는 공정, 및 기판상에 금속을 증착하는 공정으로 이루어지는 반도체장치 콘택형성방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체장치 콘택형성방법을 도시한 공정순서도.
Claims (1)
- 실리콘기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 소정의 감광막패턴을 형성하는 공정, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 절연막을 건식식각하여 콘택영역을 정의하는 공정, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정, 기판 전면에 질화막을 형성하는 공정, 상기 질화막을 선택적으로 식각하여 상기 콘택영역을 포함한 기판 소정영역을 노출시키는 공정, 산화공정을 행하여 상기 콘택영역을 포함한 상기 질화막이 식각된 부분에 산화막을 형성하는 공정, 상기 산화막을 불산용액을 이용한 습식식각에 의해 제거하는 공정, 상기 질화막을 제거하는 공정, 및 기판상에 금속을 증착하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 콘택형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033062A KR970018080A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 콘택형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033062A KR970018080A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 콘택형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018080A true KR970018080A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66582326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950033062A KR970018080A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 콘택형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018080A (ko) |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950033062A patent/KR970018080A/ko not_active Application Discontinuation
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