KR970013035A - 반도체 소자의 접촉창 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 접촉창 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 소자의 접촉창 형성방법에 관하여 기재되어 있다. 반도체 기판 상에 층간절연층을 형성하고, 상기 층간절연층 상에 상기 층간절연층에 대한 식각선택비가 큰 버퍼층을 형성한 다음, 상기 버퍼층상에 접촉창 형성시 마스크 패턴을 사용되고 상기 버퍼층의 일부를 노출시키는 모양의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 버퍼층을 식각한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 층간절연층을 습식식각하여 상기 층간절연층의 일부 두께를 식각하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 층간절연층의 잔류 두께를 건식식각하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 접촉창을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 패턴 및 버퍼층을 제거한다. 따라서, 포토레지스트층의 스웰링 현상을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 일 실시에에 따른 접촉창 형성방법을 순서대로 도시한 공정순서도.
Claims (7)
- 반도체 기판 상에 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층층간절연층 상에 상기 층간절연층에 대한 식각선택비가 큰 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 접촉창 형성시 마스크 패턴을 사용되고 상기 버퍼층의 일부를 노출시키는 모양의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 버퍼층을 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 층간절연층을 습식식각하여 상기 층간절연층의 일부 두께를 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 층간절연층의 잔류 두께를 건식식각하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 접촉창을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴 및 버퍼층을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연층에 대한 식각선택비가 큰 버퍼층은 나이트라이드 또는 옥시나이트라이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 500-2000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드는 산화물 중의 질화물성분을 5%-50%로 구성하여 선택비를 높인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드는 그 두께를 500-2000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 버퍼층의 식각시 인산을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 접촉창을 비아홀로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025737A KR970013035A (ko) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 반도체 소자의 접촉창 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025737A KR970013035A (ko) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 반도체 소자의 접촉창 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013035A true KR970013035A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950025737A KR970013035A (ko) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 반도체 소자의 접촉창 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013035A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030057180A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 완충막을 이용한 감광막 제거방법 |
-
1995
- 1995-08-21 KR KR1019950025737A patent/KR970013035A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030057180A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 완충막을 이용한 감광막 제거방법 |
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