KR930024095A - 프로파일을 개선한 콘택홀의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본발명은 (1) 하층의 전도성 물질과 도전층을 분리하기 위해 격리층으로서 BPSG 를 다수층으로 데포지션하는 단계, (2) 하층의 전도성 물질과 Metal이 연결될 곳에 접촉창을 형성하기 위해 포토레지스트(PR)를 이용하여 마스크를 형성하는 단계.(3)PR 마스크를 이용하여 BPSG를 이방성 건식식각으로 약간의 하부 BPSG만 남기고 식각하는 단계, (4)PR를 제거하고, 접촉창 아래에 남아 있는 BPSG를 충분히 제거할 만큼 종방향 및 횡방향으로 건식식각하는 단계를 포함하여 이루어진다. 더 구체적으로는, 하층의 전도성 물질과 도전층을 분리하기 위한 BPSG층을 BPSG의 보론 및 인의 농도를 조절하여 위에 있는 BPSG층의 식각비율이 아래에 있는 층에 비해 빠르게 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 설명하기위한 단면도.
Claims (2)
- 반도체소자의 콘택홀 제조방법에 있어서, (1) 하층의 전도성 물질과 도전층을 분리하기 위해 격리층으로서 BPSG를 다수층으로 데포지션하는 단계, (2) 하층의 전도성 물질과 Metal이 연결될 곳에 접촉창을 형성하기 위해 포토레지스트(PR)를 이용하여 마스크를 형성하는 단계, (3) PR 마스크를 이용하여 BPSG를 이방성 건식식각으로 약간의 하부 BPSG만 남기고 식각하는 단계, (4) PR를 제거하고, 접촉창 아래에 남아 있는 BPSG를 충분히 제거할 만큼 종방향 및 횡방향으로 건식식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 프로파일을 개선한 콘택홀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제(1)단계에서 하층의 전도성 물질과 도전층을 분리하기 위한 BPSG층을 BPSG의 보론 및 인의 농도를 조절하여 위에 있는 BPSG층의 식각비율이 아래에 있는 층에 비해 빠르게 한 것이 특징인 프로파일을 개선한 콘택홀의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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