KR960026210A - 미세콘택 형성방법 - Google Patents
미세콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 미세콘택 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 게이트전극, 층간절연막 및 절연막 스페이서를 형성하고 장기 게이트 전극 간에 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 층간절연막을 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성하고 상기 감광막패턴을 제거한 다음, 콘택물질층을 형성함으로써 상기 게이트전극의 노출이나 손상없이 콘택을 형성하여 반도체소자의 신뢰성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 미세콘택 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 고집적화된 반도체소자의 미세콘택 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 게이트전극과 층간절연막 그리고 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 콘택홀이 형성될 상기 게이트전극 간에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막을 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거함으로써 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 콘택물질층을 형성하는 공정을 포함하는 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택성장공정은 상기 감광막패턴을 성장장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택적 성장 절연막은 상기 감광막패턴 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 산소플라즈마를 이용한 식각공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 미세콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039072A KR100281276B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 미세콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039072A KR100281276B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 미세콘택 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026210A true KR960026210A (ko) | 1996-07-22 |
| KR100281276B1 KR100281276B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66647720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039072A KR100281276B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 미세콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100281276B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030003906A (ko) * | 2001-07-04 | 2003-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 및 그에 따라 제조된 반도체메모리 소자 |
| US11664418B2 (en) | 2021-02-05 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having gate isolation layers |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039072A patent/KR100281276B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030003906A (ko) * | 2001-07-04 | 2003-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 및 그에 따라 제조된 반도체메모리 소자 |
| US11664418B2 (en) | 2021-02-05 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having gate isolation layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100281276B1 (ko) | 2001-03-02 |
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