KR950034415A - 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세패턴 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세패턴 제조방법에 관한것으로서, 소정의 기판상에 배선이 되는 도전층을 도포하고, 상기 도전층과는 식각선택비차가 비교적 큰 물질로 식각장벽층을 형성하며, 상기 식각장병층상에 분해능한계치의 실리콘층 패턴을 형성하고, 상기 실리콘층 패턴을 소정 두께 열산화시킨 후, 전면 이방성식각하여 남아있는 실리콘층 패턴의 측변에 산화막 스페이서를 형성하여, 상기 남아있는 실리콘층 패턴을 제거하고, 상기 산화막 스페이서를 마스크로 노출되어 있는 식각장병층을 제거하며, 상기 식각장벽층 패턴을 식각 마스크로하여 노출되어 있는 도전층을 제거하여 도전층패턴으로된 배선을 형성하였으므로, 배선의 라인/스페이스를 분해능 한계치 이하로 감소시켜 반도체소자를 고집적화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명에 따른 반도체소자의 미세패턴 제조공정도.
Claims (3)
- 소정구조의 반도체기판상에 배선이 되는 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층상에 도전층과 식각선택 비차가 있는 물질로 식각장벽층을 형성하는 공정과, 상기 식각장벽층상에 실리콘층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층 패턴을 소정 두께 열산화시켜 열산화막을 형성하는 공정과, 상기 열산화막을 전면 이방성식각하여 상기 남아있는 실리콘층 패턴의 측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 남아있는 실리콘층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 열산화막을 마스크로 하여 노출되어 있는 식각장벽층은 식각하여 식각장벽층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 산화막 스페이서를 제거하는 공정과, 상기 식각장벽층 패턴에 의해 노출되어 있는 도전층을 제거하여 도전층 패턴으로된 배선을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층을 텅스텐층, 폴리실리콘층, Al/Si/Cu로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층의 하부에 상기 도전층과의 계면특성을 향상시키기 위한 밀착층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011008A KR950034415A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011008A KR950034415A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034415A true KR950034415A (ko) | 1995-12-28 |
Family
ID=66682137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940011008A KR950034415A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950034415A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010003465A (ko) * | 1999-06-23 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| KR100298458B1 (ko) * | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 김영환 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
| KR100406725B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2003-11-21 | 이종덕 | 극미세 다중 패턴의 형성 방법 |
-
1994
- 1994-05-20 KR KR1019940011008A patent/KR950034415A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298458B1 (ko) * | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 김영환 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
| KR20010003465A (ko) * | 1999-06-23 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| KR100406725B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2003-11-21 | 이종덕 | 극미세 다중 패턴의 형성 방법 |
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