KR960026585A - 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법에 관한 것으로서, 산화막 및 질화막 패턴을 마스크로 소자분리 영역으로 예정되어 있는 반도체기판상에 트랜치를 형성하고, 상기 트랜치를 메우는 제2산화막을 도포하고, 상기 제2산화막상에 별도의 다결정실리콘층을 열산화시킨 열산화막을 형성한 후, 상기 열산화막과 제2산화막을 순차적으로 전면 식각하여 평탄화되고 트랜치를 메운 소자분리 산화막을 형성하였으므로, 소자분리 산화막의 프로파일의 불연속성을 방지하여 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 따른 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조 공정도.
Claims (3)
- 반도체기판 상에 제1산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1산화막상에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에서 소자분리 영역으로 예정되어 있는 부분상의 질화막과 제1산화막을 순차적으로 제거하여 반도체 기판을 노출시키는 질화막 패턴 및 제1산화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 노출되어 있는 반도체기판을 예정되어 있는 두께 만큼 제거하여 트랜치를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2산화막을 형성하여 상기 트랜치를 메우는 공정과, 상기 제2산화막상에 다결정실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘층을 열산화시켜 표면이 평탄한 제3산화막을 형성하는 공정과, 상기 제3산화막과 제2산화막을 전면식각하여 상기 제2산화막에서 트랜치를 메운 부분을 남게하는 공정을 구비하는 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트랜치를 1000~20000Å 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘층의 두께를 100~1000Å로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039037A KR960026585A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019940039037A KR960026585A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026585A true KR960026585A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647700
Family Applications (1)
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| KR1019940039037A KR960026585A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026585A (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980048151A (ko) * | 1996-12-17 | 1998-09-15 | 문정환 | 격리막 형성 방법 |
| KR100231728B1 (ko) * | 1996-12-12 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
| KR100476372B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치의폭이다른반도체소자의트렌치형소자분리막형성방법 |
| KR100741887B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2007-07-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| KR100979233B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2010-08-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039037A patent/KR960026585A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100231728B1 (ko) * | 1996-12-12 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
| KR19980048151A (ko) * | 1996-12-17 | 1998-09-15 | 문정환 | 격리막 형성 방법 |
| KR100476372B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치의폭이다른반도체소자의트렌치형소자분리막형성방법 |
| KR100741887B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2007-07-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| KR100979233B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2010-08-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
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