KR960026544A - 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소자간 분리, 절연을 위한 반도체 소자의 소자분리층 형성방법에 관한 것으로, 소자분리층 형성영역의 반도체기판을 노출시키는 제1단계; 상기 노출된 반도체기판 상부에 반도체기판의 산화 방지를 위한 스페이서를 형성하는 제2단계; 소자분리층을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 일실시예에 따른 소자분리층 형성 공정 단면도.
Claims (7)
- 소자간 분리, 절연을 위한 반도체 소자의 소자분리층 형성방법에 있어서, 소자분리층 형성영역의 반도체 기판을 노출시키는 제1단계; 상기 노출된 반도체기판 상부에 반도체기판의 산화 방지를 위한 스페이서를 형성하는 제2단계; 소자분리층을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계는 반도체기판 상부에 패드산화층, 패드질화층을 형성하는 단계; 소자분리 영역의 상기 패드질화층, 패드산화층을 선택식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소자분리층 형성영역의 반도체기판을 과도식각하여 트랜치가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2단계는 제1단계 공정 진행 후 전체구조 상부에 화학기상증착법에 의한 증착층을 형성한 후, 스페이서 식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 증착층은 산화층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2단계 후 소자분리영역의 상기 반도체기판에 트랜치를 형성하는 제4단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3단계는 열산화공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034274A KR960026544A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034274A KR960026544A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026544A true KR960026544A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940034274A KR960026544A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026544A (ko) |
-
1994
- 1994-12-14 KR KR1019940034274A patent/KR960026544A/ko not_active Application Discontinuation
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