KR970053475A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판의 상부에 반도체기판의 열팽창계수와 비슷한 계수를 갖는 AIN막을 형성하고, 상기 AIN막을 활성영역이 노출되도록 패터닝하되, 반도체기판이 노출될 때까지 식각하여 AIN막 패턴을 형성하고, 노출된 반도체기판, 즉, 활성영역에만 에피실리콘층을 중착하고, 온도를 상온으로 낮추는 단계를 포함하므로써, 반도체소자의 신뢰성을 향상한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도.
Claims (5)
- 반도체기판의 상부에 AIN막을 형성하는 단계와, 상기 AIN막을 활성영역이 노출되도록 패터닝하되, 반도체기판이 노출될 때까지 식각하여 AIN막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 반도체기판, 즉, 활성영역에만 에피실리콘층을 중착하는 단계와, 온도를 상온으로 낮추는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 AIN막을 형성하기 전에 반도체기판의 상부에 패드산화막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 AIN막은 2000 내지 5000A 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에피실리콘층은 2000 내지 5000A 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 AIN막과, 에피실리콘층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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