KR970024300A - 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 - Google Patents
섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024300A KR970024300A KR1019950035166A KR19950035166A KR970024300A KR 970024300 A KR970024300 A KR 970024300A KR 1019950035166 A KR1019950035166 A KR 1019950035166A KR 19950035166 A KR19950035166 A KR 19950035166A KR 970024300 A KR970024300 A KR 970024300A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- shadow mask
- sinx
- manufacturing process
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 섀도우 마스크를 이용한박막 트랜지스터 제조공정에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 3층 구조의 게이트 절연막과 보호막(SiNx)을 증착할 때 섀도우 마스크를 이용하여 패드(pad)부를 보호하여 박막 트랜지스터를 제조하는 공정에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 단면도.
Claims (2)
- 아이티오막이 상층으로 가는 상층 아이티오 구조에서 패드 부분의 게이트 절연막(SiNx)와 보호막(SiNx) 증착시 섀도우 마스크를 이용하는 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에서, 보호막 에칭시 패드부의 절연막(SiNx)까지 에칭하는 패드부위의 절연막(SiNx)와 보호막(SiNx)를 2단계로 에칭하는 것을 생략할 수 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035166A KR970024300A (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035166A KR970024300A (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024300A true KR970024300A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950035166A KR970024300A (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024300A (ko) |
-
1995
- 1995-10-12 KR KR1019950035166A patent/KR970024300A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910007159A (ko) | Mos형 반도체장치 | |
| KR970024300A (ko) | 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 | |
| KR970072497A (ko) | 액티브 매트릭스 기판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 액티브 매트릭스 기판 | |
| KR970023874A (ko) | 새도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제작 공정 | |
| KR970053475A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR980005304A (ko) | 반도체 소자의 감광막 형성방법 | |
| KR960019576A (ko) | 롬(rom)의 게이트절연막 형성방법 | |
| KR970052374A (ko) | 반도체 소자의 레이아웃 | |
| KR970023756A (ko) | 반도체장치의 스페이서 형성방법 | |
| KR970024271A (ko) | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 | |
| KR970049079A (ko) | 반도체장치의 금속막 식각방법 | |
| KR970054506A (ko) | 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR960009214A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970052836A (ko) | 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR970053424A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970052599A (ko) | 반도체장치의 식각방법 | |
| KR910008802A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR920003448A (ko) | 바이폴라 소자의 메몰층 형성방법 | |
| KR930014941A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970053580A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052660A (ko) | 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 | |
| KR970030080A (ko) | 전계방출형 표시소자의 스페이서 구조 | |
| KR970054472A (ko) | 박막 트랜지스터와 그것의 제조방법 | |
| KR970030901A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960019518A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 및 그의 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |