KR970023874A - 새도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제작 공정 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터의 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 3매의 마스크(mask)와 2매의 새도우 마스크(sadow mask)를 이용하여 박막 트랜지스터층과 전극을 함께 형성하는 방법에 관한 것이다.

본 발명의 박막 트랜지스터 공정의 순서의 특징은 다음과 같다. 먼저 패드와 동시에 게이트 패턴을 형성하고, 새도우 마스크를 사용하여 패드부를 제외한 부분을 3층막으로 증착하고, 액티브 패턴을 형성할 때 패드부를 포토 레지스터로 가리우고 패턴을 형성하여 에칭하고, 투명 전극을 이용하여 투명화소 화소전극과 소스 드레인 전극(S/D bus line)을 형성하고, 새도우 마스크를 사용하여 보호막(SiNx) 형성함으로써 3매 마스크(게이트, 액티브, 아이티오)와 2매의 새도우 마스크(절연막(SiNx) 증착, 보호막 증착)로박막 트랜지스터층과 전극을 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

새도우 마스크를 이용한 박박 트랜지스터 제작 공정

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가)는 이 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 단면도이고,

제2도의 (나)는 이 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 평면도이다.

Claims (4)

1. 게이트 패턴과 패드 패턴을 형성한 후 새도우 마스크를 사용하여 3층 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
2. 보호막(SiNx)은 증착할 때에 새도우 마스크를 사용하여 보호막(SiNx)을 증착하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
3. 소스 드레인 전극과 화소 픽셀을 동일 층에 형성하여 투명 전극금속으로 소스드레인 전극과 화소 픽셀을 형성하는 것은 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
4. 새도우 마스크를 사용하여 증착 후 에칭할 때 패드부의 Cr을 포토 레지스터로 남긴체 에칭을 진행하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.