KR930011271A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 유리기판상에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극상부에 절연막을 개재하여 형성된 반도체층과, 상기 반도체층상의 일부분에 형성된 보호막과, 상기 보호막을 중심으로 대칭되며 상기 반도체층과 연결되도록 형성된 콘택트층과, 상기 콘택트층상에 형성된 소오스/드레인전극을 구비하는 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 보호막은 상기 반도체층을 형성하기 위한 제1마스크패턴과 상기 소오스/드레인전극을 형성하기 위한 제2마스크패턴이 겹쳐지는 부분의 가장자리를 감싸도록 제3마스크패턴을 형성한후, 제3마스크패턴을 적용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 방법은 트랜지스터의 채널부를 형성하는 반도체층을 보호하기 위한 보호막을, 상기 반도체층의 패턴모두를 덮도록 형성함으로써 소오스/드레인전극과 접촉하는 부분 이외의 콘택트층을 식각해낼때 상기 반도체층의 패턴을 잘 보호할 수 있게 되어, 상기 트랜지스터의 게이트전극과, 소오스/드레인전극간의 단락현상을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 내지 제3d도는 본 발밍에 의한 박막트랜지스터의 제조방법의 일실시예를 나타낸 공정순서도 각각에 대응하는 간략한 레이아웃도.
제4a도 내지 제4d도는 상기 제3a도 내지 제3d도의 A-A'선을 잘라 본 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 제조방법의 일 실시예를 나타낸 공정순서도.
Claims (2)
- 유리기판상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극 상부에 절연막을 개재하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층상의 일부분에 형성된 보호막; 상기 보호막을 중심으로 대칭되며, 상기 반도체충과 연결되도록 형성된 콘택트층; 상기 콘택트층상에 형성된 소오스/드레인전극을 구비하는 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 보호막은, 상기 반도체층을 형성하기 위한 제1마스크패턴과 상기 소오스/드레인전극을 형성하기 위한 제2마스크패턴이 겹쳐지는 부분의 가장자리를 감싸도록 제3마스크패턴을 형성한후, 이 제3마스크패턴을 적용하여 형성되는것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 수소화된 비정질실리콘인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019910019898A KR940007456B1 (ko) | 1991-11-09 | 1991-11-09 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
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KR (1) | KR940007456B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030017722A (ko) * | 2001-08-22 | 2003-03-04 | 이기영 | 도자기 조리용기의 제조방법 |
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1991
- 1991-11-09 KR KR1019910019898A patent/KR940007456B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR20030017722A (ko) * | 2001-08-22 | 2003-03-04 | 이기영 | 도자기 조리용기의 제조방법 |
Also Published As
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KR940007456B1 (ko) | 1994-08-18 |
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