KR960019797A - 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960019797A
KR960019797A KR1019940031943A KR19940031943A KR960019797A KR 960019797 A KR960019797 A KR 960019797A KR 1019940031943 A KR1019940031943 A KR 1019940031943A KR 19940031943 A KR19940031943 A KR 19940031943A KR 960019797 A KR960019797 A KR 960019797A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film transistor
gate electrode
high concentration
concentration impurity
thin film
Prior art date
Application number
KR1019940031943A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0174032B1 (ko
Inventor
황성연
남동현
김태곤
서영우
염선민
Original Assignee
엄길용
오리온전기 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엄길용, 오리온전기 주식회사 filed Critical 엄길용
Priority to KR1019940031943A priority Critical patent/KR0174032B1/ko
Publication of KR960019797A publication Critical patent/KR960019797A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0174032B1 publication Critical patent/KR0174032B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78663—Amorphous silicon transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 하측 게기트전극과 게이트절연막을 형성하고, 그 상부에 비정질실리콘으로 된 반도체층 패턴을 형성하며, 상기 반도체층 패턴의 양측에 오옴믹 접촉을 위한 고농도 불순물층을 후면 노광으로 형성되는 감광막패턴을 마스크로 형성한 후, 그 상측에도 게이트절연막과 상측 게이트전극을 형성하여 TFT의 채널폭을 증가시켰으므로, TFT의 크기를 감소시켜 개구율을 향상시키고, 동일한 면적의 TFT에서는 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막 트랜지스터를 설명하기 위한 레이아웃도,
제4도는 제3도에서의 선 B-B에 따른 단면도,
제5도는 제3도에서의 선 C-C에 따른 단면도.

Claims (11)

  1. 투명기판상에 형성되어 있는 제1게이트전극과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제1게이트절연막과, 상기 제1게이트전극과 중첩되고 양측으로 연장되도록 제1게이트절연막상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 제1게이트전극 양측 상부의 반도체층 패턴에 형성되어 있는 고농도 불순물층과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제2게이트절연막과, 상기 제1게이트전극과 중첩되도록 제2게이트절연막상에 형성되고 일측이 콘택홀을 통하여 상기 제1게이트전극과 연결되는 제2게이트전극과, 상기 양측 고농도 불순물층의 일측 상부의 상기 제2 및 제1게이트절연막이 순차적으로 제거되어 상기 고농도 불순물층을 노출시키는 콘택홀들과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴을 비정질실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트전극이 Ti, Cr 또는 Al들중 어는 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극이 Ti, Cr 또는 Al들중 어는 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 백정표시장치용 박막 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물층이 N 또는 P형인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  8. 투명기판상에 제1게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트 전극과 중앙부분이 중첩되는 반도체층 패턴을 상기 제1게이트절연막상에 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극 양측 상부의 반도체층 패턴에 고농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극에서 상기 반도체층 패턴과 중첩되지 않는 부분과 상기 양측의 고농도 불순물층의 일측 상부의 제2게이트절연막을 제거하여 각각을 노출시키는 콘택들을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극과 중첩되고 콘택홀을 통하여 접촉되는 제2게이트전극과 다른 콘택홀을 통하여 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 형성하는 고정을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 고농도 불순물층을 후면 노광에 의해 형성되는 감광막패턴을 마스크로하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 고농도 불순물층을 이온주입하거나 이온샤워 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트절연막을 CVD 또는 PVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940031943A 1994-11-30 1994-11-30 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 KR0174032B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940031943A KR0174032B1 (ko) 1994-11-30 1994-11-30 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940031943A KR0174032B1 (ko) 1994-11-30 1994-11-30 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960019797A true KR960019797A (ko) 1996-06-17
KR0174032B1 KR0174032B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19399625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940031943A KR0174032B1 (ko) 1994-11-30 1994-11-30 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0174032B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493976B1 (ko) * 1996-06-18 2005-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치,액티브매트릭스장치,및액티브매트릭스장치를구비한프로젝터

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170067397A (ko) 2015-12-08 2017-06-16 현대자동차주식회사 마일드 하이브리드 차량의 lpi 엔진 시동 제어 방법 및 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493976B1 (ko) * 1996-06-18 2005-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치,액티브매트릭스장치,및액티브매트릭스장치를구비한프로젝터

Also Published As

Publication number Publication date
KR0174032B1 (ko) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970048718A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR960026984A (ko) 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR960032059A (ko) 완전 자기 정렬형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JPH06326314A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH1065176A (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20030029615A (ko) 차광 층에 자체-정렬되는 박막 트랜지스터
KR100272266B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR960019797A (ko) 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR970028753A (ko) 액정 표시 소자의 제조 방법
KR970022464A (ko) Cmos박막반도체장치 및 그 제조방법
US5889290A (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof
KR960002917A (ko) 개구율 향상을 위한 액정 표시장치 및 그 제조 방법
KR960019779A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR960019777A (ko) 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR960019798A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR960042176A (ko) 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법
KR970054490A (ko) 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조 방법
KR950033616A (ko) 액정표시소자 제조방법
KR960042173A (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법
KR960018741A (ko) 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법
KR960019796A (ko) 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR940016904A (ko) 박막트랜지스터의 제조방법
KR970048854A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970004085A (ko) 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR20010061779A (ko) 인버티드 코플래너형 박막 트랜지스터 액정표시소자 및그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee