KR960019797A - 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 하측 게기트전극과 게이트절연막을 형성하고, 그 상부에 비정질실리콘으로 된 반도체층 패턴을 형성하며, 상기 반도체층 패턴의 양측에 오옴믹 접촉을 위한 고농도 불순물층을 후면 노광으로 형성되는 감광막패턴을 마스크로 형성한 후, 그 상측에도 게이트절연막과 상측 게이트전극을 형성하여 TFT의 채널폭을 증가시켰으므로, TFT의 크기를 감소시켜 개구율을 향상시키고, 동일한 면적의 TFT에서는 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막 트랜지스터를 설명하기 위한 레이아웃도,
제4도는 제3도에서의 선 B-B에 따른 단면도,
제5도는 제3도에서의 선 C-C에 따른 단면도.

Claims (11)

  1. 투명기판상에 형성되어 있는 제1게이트전극과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제1게이트절연막과, 상기 제1게이트전극과 중첩되고 양측으로 연장되도록 제1게이트절연막상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 제1게이트전극 양측 상부의 반도체층 패턴에 형성되어 있는 고농도 불순물층과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제2게이트절연막과, 상기 제1게이트전극과 중첩되도록 제2게이트절연막상에 형성되고 일측이 콘택홀을 통하여 상기 제1게이트전극과 연결되는 제2게이트전극과, 상기 양측 고농도 불순물층의 일측 상부의 상기 제2 및 제1게이트절연막이 순차적으로 제거되어 상기 고농도 불순물층을 노출시키는 콘택홀들과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴을 비정질실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트전극이 Ti, Cr 또는 Al들중 어는 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극이 Ti, Cr 또는 Al들중 어는 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 백정표시장치용 박막 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물층이 N 또는 P형인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  8. 투명기판상에 제1게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트 전극과 중앙부분이 중첩되는 반도체층 패턴을 상기 제1게이트절연막상에 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극 양측 상부의 반도체층 패턴에 고농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극에서 상기 반도체층 패턴과 중첩되지 않는 부분과 상기 양측의 고농도 불순물층의 일측 상부의 제2게이트절연막을 제거하여 각각을 노출시키는 콘택들을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극과 중첩되고 콘택홀을 통하여 접촉되는 제2게이트전극과 다른 콘택홀을 통하여 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 형성하는 고정을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 고농도 불순물층을 후면 노광에 의해 형성되는 감광막패턴을 마스크로하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 고농도 불순물층을 이온주입하거나 이온샤워 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트절연막을 CVD 또는 PVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940031943A 1994-11-30 1994-11-30 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 KR0174032B1 (ko)

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