KR960018741A - 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 소오스/드레인전극을 형성하고, 상기 소오스/드레인전극을 제외한 투명기판상에 완층막 패턴을 형성하여 상부 표면을 평탄하게한 후, 소오스/드레인전극 및 그 양측의 완층막 패턴상에 채널이 도는 반도체층 패턴을 형성하고, 후속 공정을 진행하여 스테거드형 TFT를 형성하였으므로 소오스/드레인전극과 게이트전극의 경제 부분에서 단차가 커지지 않으므로 게이트산화막이나 필드산화막이 얇아져 배선들이 달락되는 것을 방지할 수 있어 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조공정도.

Claims (7)

  1. 투명기판상에 서로 이격되어 있는 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 환층막을 형성하는 공정과, 상기 소오스/드레인전극상의 완층막을 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 완층막을 제거하여 상기 소오스/드레인전극과 평탄한 면을 갖는 완층막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 소오스/드레인전극과 그 사이의 완층막 패턴상에 반도체층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 소오스/드레인전극 사이의 반도체층 패턴상에 서로 중첩되어 있는 게이트산화막과 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극과 그 양측의 반도체층 패턴에 고농도 불순물 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 필드 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극과소오스/드레인전극 상부의 고농도 불순물 반도체층상의 필드산화막을 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 게이트전극 및 소오스/드레인전극상의 고농도 불순물 반도체층과 접촉되는 금속배선을 형성하는 공정을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판을 석영 또는 유리재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인전극을 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 완층막을 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 완층막을 CVD 또는 PVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴을 비정질 또는 다결정 실리콘층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극을 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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