KR940003059A - 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크의 수를 줄여 공정은 단축시킬 수 있게 한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로 액정 디스플레이에 적용되는 박막트랜지스터의 제조에 관한 것인바, 이는 기판위에 투명전극, 소오스/드레인전극,
n+형 비정질 실리콘층, 비정질 실리콘층, 게이트 절연막, 게이트 전극을 차레로 형성한 것에 있어서, n+형 비정질 실리콘층 증착후에 1차 패턴을 행하고 게이트 전극 증착후에 2차 패턴을 행하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 박막트랜지스터의 단면도.
제3도는 본 발명의 공정단면도.
제4도는 제3도의 (D)부분 평면도.
Claims (2)
- 기판(10) 상에 ITO(11), 소오스/드레인전극(12), n+형 비정질 실리콘층(13)을 차례로 형성하는 스텝과, 마스크를 사용하여 소오스/드레인 전극 (12)이 분리되도록 일차로 패터닝하는 스템과, 전표면에 비정질 실리콘층(14), 게이트 절연막(15), 게이트전극(16)을 차례로 형성하는 스템과, 마스크를 사용하여 트랜지스터가 형성되도록 이차로 패터닝하는 스텝을 포함하여서 된 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, n+형 비정질 실리콘층(13)이나 비정질 실리콘층(14) 대신에 카드뮴 셀레나이드를 사용하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920012314A KR940003059A (ko) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920012314A KR940003059A (ko) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR940003059A true KR940003059A (ko) | 1994-02-19 |
Family
ID=67147083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019920012314A KR940003059A (ko) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940003059A (ko) |
-
1992
- 1992-07-10 KR KR1019920012314A patent/KR940003059A/ko not_active Application Discontinuation
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