KR940016942A - 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터의 제조에 있어서 게이트 절연막으로 양극 산화막을 사용할때 하나의 유리 기판에 4개 이상의 판넬을 구성할 수 있는 게이트 패드 구조의 개선에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 제조방법은 게이트 패드부분의 양극산화에 있어서 양극산화 방지막을 부분적으로 형성하여 양극산화막에 쓰루 홀을 형성한 것과 유사한 구조를 얻어 양극산화막 식각공정을 제거한 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 전형적인 박막 트랜지스터의 단면도, 제 2 도 (a), (b)는 제 1 도 게이트 금속 전극을 형성하는 사진식각 공정을 나타내는 간략도, 제 3 도는 하나의 유리 기판내에 4개의 판넬 구조를 보인 도면, 제 4 도 (a)-(d)는 본 발명에 따른 양극 산화 방지막을 이용한 게이트 패드 형성방법을 보인 실시예의 공정 단면도, 제 5 도 (a), (b)는 제 4 도에 사용하는 양극 산화 방지 마스크의 예를 나타낸 평면도.
Claims (3)
- 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 게이트 전극 형성후 게이트 어레이를 제외한 패드부분에 양극산화 방지 마스크를 설치한 후 게이트 전극부분에 양극 산화를 실시하고, 양극산화를 실시한 후 게이트 패드 부분의 양극산화 방지막을 제거하여 양극 산화막에 쓰루 홀을 뚫어준 것 같은 형상의 게이트 패드를 형성하고, 이 게이트 패드위로 소오스, 드레인 금속전극을 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는박막 트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 양극산화 방지막으로써 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘옥사이드(SiO2), 또는 감광수지막을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항의 제조방법으로 형성된 액정 디스플레이 소자의 게이트 패드 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1992
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