KR940015588A - 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액티브 매트릭스(ACTIVE MATRIX) LCD(LIQUID CRYSTAL DISPLAY)의 제조방법에 관한 것으로, TFT(THIN FILM TRANSISTOR)의 구조가 에치-스토퍼(ETCH-STOPPER)형일때 종래에는 n+형 실리콘(Si)을 드라이 에치(DRY ETCH) 시킬때 TFT의 단차로 인해 채널(CHANNEL) 측벽부에 n+형 실리콘이나 이물질이 남는 경우가 있어, 이후 열공정에서 잔존 이물질이 확산되어 서로 연계가 될 경우 TFT의 오프 전류(Ioff)가 증가하게 되어 TFT 특성의 불량을 유발하는 원인이 되었다.

이에 본 발명은 에치-스토퍼 패턴을 게이트 라인 방향으로 채널층의 반도체층 패턴 보다 더 크게 형성시키므로써, n+형 실리콘 적층시 누적 두께를 제거할 수 있게 되어 그 결과 측벽부에 잔존하게 되는 n+형 실리콘 및 이물질을 근본적으로 방지하여 TFT 특성 확보 용이 및 수율향상을 꾀하고, 이와 병행하여 에치-스토퍼 패턴을 게이트 선폭 보다 더 크게 게이트 라인 위에 패턴화시켜 이후 식각 공정에서 게이트 절연막을 보호할 수 있어 수율향상 및 게이트 오픈(GATE OPEN)을 방비할 수 있는 고신뢰성의 액티브 매트릭스 액정표시소자를 실현할 수 있다.

Description

액티브 매트릭스 액정 디스플레이(LCD) 및 그의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3(A)도 내지 제3(C)도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 TFT 구조 및 게트 라인 구조를 나타내는 평면도 및 단면도, 제4(A)도 내지 제4(C)도는 본 발명의 제3 실시예에 따른 TFT 구조 및 게이트 라인 구조를 나타내는 평면도 및 단면도.

Claims (9)

1. 유리기판 상에 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 각 화소는 시그널 라인으로 연결시킨 뒤 각 화소를 스위칭하는 TFT를 형성시키는 제조 공정에 있어서, 에치스토퍼 패턴을 게이트 어레이 방향으로 반도체층 패턴 보다 더 크게 형성함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 액티브 비정질 실리콘으로 형성됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 에치스토퍼 패턴의 다른 형성 방법은 상기 에치스토퍼 패턴을 게이트 선폭 보다 더 크게 형성하여 이후 식각 공정에서 게이트 절연막 및 게이트 라인을 보호하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD의 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 에치스토퍼 패턴 형성 공정은 유리기판 상에 게이트 금속을 증착하고 감광액을 도포한 후 사진식각공정으로 패터닝 한 다음 양극산화 기법으로 제1 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 제1 게이트 절연막 상에 제2 절연층과 반도체층 및 에치스토퍼층을 순차적으로 적층 형성 한 뒤 노광 및 식각 공정을 거쳐 에치스토퍼 패턴을 형성하는 공정과, n+형 비정질 실리콘 층을 PECVD기법으로 증착한후 노광 및 건식 공정을 이용하여 액티브 패턴을 에치스토퍼 패턴 보다 더 작게 패터닝 하는 공정과, 상기 패턴 상에 투명 전극을 증착한 후 노광 및 습식 공정을 거쳐 소오스/드레인을 패턴화 한후 n+형 실리콘 층을 식각하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD의 제조방법.
5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 소오스/드레인 패턴은 상기 액티브 패턴을 완전히 덮도록 패터닝 됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD의 제조방법.
6. 유리기판상에 형성된 게이트 금속과, 상기 게이트 금속보다 더 큰 구조로 금속상에 형성된 제1게이트 절연막 및 제2 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막보다 더 큰 구조로 게이트 절연막상에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상에서 게이트 어레이 방향으로 반도체층 패턴보다 더 큰 구조로 형성된 에치 스토피 패턴과, 상기 패턴상에 콘택을 형성하기 위하여 서로 분리되게 형성된 소오스/드레인 패턴으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD.
7. 제6항에 있어서, 상기 에치스토퍼 패턴은 상기 게이트 선폭보다 더 큰 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD.
8. 제6항에 있어서, 상기 소오스/드레인 패턴이 형성되지 않은 부분의 TFT기판 절단면은 유리기판상에 형성된 게이트 금속과, 상기 게이트 금속상에서 게이트 금속보다 큰 구조로 형성된 제1 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 제2 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층의 양 모서리 부분에 형성된 에치스토퍼 패턴으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 LCD.
9. 제6항에 있어서, 상기 소오스/드레인 패턴이 형성된 TFT기판의 절단면은 유리기판상에 형성된 게이트 금속과, 상기 게이트 금속상에서 게이트 금속보다 큰 구조로 형성된 제2 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 제2 절연막과, 상기 제2 절연막 상에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성된 에치스토퍼 패턴과, 상기 에치스토퍼의 상부 콘택을 형성시키기 위한 부분을 제외한 주변부에 형성된 n⁺형 반도체층과, 상기 n⁺반도체층이 형성된 기판의 전면에 형성된 소오스/드레인 패턴으로 이루어짐을 특징으로 하는 매트릭스.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.