JP2007114734A - 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1ストレージ電極120としてゲート配線115、誘電体としてゲート絶縁膜125とデータ配線上に位置する保護膜155からなり、画素電極を第2ストレージ電極とするストレージキャパシタであって、ストレージ電極120の上部における保護層155とゲート絶縁膜125との厚さが、ゲート配線の上部における保護層とゲート絶縁膜の厚さより薄いことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
このような液晶表示装置のうちでも、各画素別に電圧のオン、オフが調節できるスイッチング素子である薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリックス型の液晶表示装置が解像度及び動映像の具現能力が優れているため、最も注目を浴びている。
一般的に、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ及び画素電極を形成するアレイ基板の製造工程とカラーフィルター及び共通電極を形成するカラーフィルター基板の製造工程によって各々アレイ基板及びカラーフィルター基板を形成して、前記両基板間に、液晶を介する液晶セル工程を行って完成される。
図1に示したように、液晶表示装置は、相互に向かい合って配置された第1基板81及び第2基板11と、前記両基板81,11間に配置された液晶層で構成される。前記第1基板81の内部面には、赤色R、緑色G、青色Bのサブカラーフィルター89a、89b、89cで構成されたカラーフィルター層89と、前記赤色R、緑色G、青色Bのサブカラーフィルター89a、89b、89c間に位置するブラックマトリックス85と、前記カラーフィルター層89及びブラックマトリックス85上に形成された共通電極92とが設けられている。また、第2基板11の内部面には、相互に交差して配置され画素領域Pを定義するゲート配線15及びデータ配線40と、前記ゲート配線15及びデータ配線40に連結され一種のスイッチング素子である薄膜トランジスタTrと、前記薄膜トランジスタTrに連結された画素電極65とが設けられている。実質的に、前記赤色R、緑色G、青色Bのサブカラーフィルター89a、89b、89cは、画素領域P別に形成されており、前記ブラックマトリックス85は、非画素領域と対応するように位置する。
図2と図3に示したように、第2基板11において、横の方向に、ゲート配線15が形成されて、前記ゲート配線15と交差してデータ配線40が形成され、前記両配線によって画素領域Pが定義される。
また、前記ゲート配線15とデータ配線40が交差する領域には、スイッチング素子として最下位に、前記ゲート配線15に連結されたゲート電極18と、その上部に、ゲート絶縁膜30と、前記ゲート絶縁膜30の上部に連結された状態のアクティブ層35aと相互に離隔するオーミックコンタクト層35bとで構成された半導体層35と、前記半導体層35上に、相互に離隔するソース電極43及びドレイン電極46とで構成された薄膜トランジスタTrが形成される。
前記ゲート配線15は、(n-1)番目のゲート配線15に分類されて、n番目のゲート配線15は、前記(n-1)番目のゲート配線15に隣接する。
前記(n-1)番目のゲート配線15は、一定の幅W1を有して、n番目のストレージキャパシターnth Cstは、前記(n-1)番目のゲート配線15の一部を占める第1ストレージ電極20と、前記第1ストレージ電極20と重なるために、前記画素電極65から延長された第2ストレージ電極66とを含む。
C=ε*A/d・・・(1)
(εは、誘電率、Aは、電極の面積、dは、両電極間の距離)
本発明の第2目的は、第1ストレージ電極及び第2ストレージ電極の増加なしで増加されて、また、開口率の向上構造で増加されたキャパシタンスを有するストレージキャパシターを形成する液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
本発明の第3目的は、高輝度を得るための液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
従って、従来のストレージキャパシターを備えた液晶表示装置用アレイ基板と比較して同一なキャパシタンスを有するように画素領域内にストレージキャパシターを構成すると、従来に比べて、ストレージ電極の面積が小さいストレージキャパシターを形成しても、同一なキャパシタンスを有するので、ストレージキャパシターの一電極として利用されるゲート配線の線幅を縮めることによって、液晶表示装置の開口率及び輝度を向上させることができる。
図4と図5に示したように、第1方向に沿ってゲート配線115が形成され、前記第1方向と交差される第2方向に沿って画素領域Pを定義してデータ配線140が形成される。前記ゲート配線115とデータ配線140の交差地点に薄膜トランジスタTrが形成されて、前記薄膜トランジスタTrに連結され前記画素領域Pには、画素電極165が形成される。
図6A〜図6Hは、本発明の一実施の形態による液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を示しており、図4のV−V線に沿って切断された概略的な断面図である。
図6Aに示したように、基板110上に金属物質を蒸着して金属層(図示せず)を形成し、前記金属層(図示せず)上でフォトレジストを塗布して、マスクを利用してフォトレジストを露光し、露光されたフォトレジストを現像する。
Claims (20)
- 基板上に形成されたゲート配線及び第1ストレージ電極と、
前記ゲート配線及び第1ストレージ電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部に位置して、前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、
前記データ配線上に位置する保護膜であって、前記第1ストレージ電極の上部における前記保護層と前記ゲート絶縁膜との第1厚さは、前記ゲート配線の上部における前記保護層と前記ゲート絶縁膜の第2厚さより、薄いことを特徴とする保護層と、
前記保護層上に形成された画素電極と、
前記第1ストレージ電極と重なり、前記画素電極から延長された第2ストレージ電極と
を含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記第1ストレージ電極は、前記ゲート配線の一部を占めることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線に連結されたゲート電極と、前記ゲート電極の上部の半導体層と、前記データ配線に連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔されたドレイン電極とを含む薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記保護層は、前記ドレイン電極の一部を露出させるドレインコンタクトホールを有することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記保護層は、第1領域で前記ゲート絶縁膜を露出させるオープン部を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 基板上に形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差するデータ配線と、
前記ゲート配線及びデータ配線に接続される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されて、重なる領域で、前記ゲート配線と重なる画素電極と、
前記ゲート配線と画素電極間に位置して、前記重なる領域に対応する第1厚さは、前記重なる領域以外の領域に対応する第2厚さより薄い絶縁膜と
を含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記重なる領域において、前記ゲート配線、前記絶縁膜、および、前記画素電極は、ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージキャパシターは、前記ゲート配線の領域を占める第1ストレージ電極と、前記画素電極から延長された第2ストレージ電極を含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記薄膜トランジスタは、前記ゲート配線に連結されるゲート電極と、前記ゲート電極の上部の半導体層と、前記データ配線に連結されるソース電極と、前記ソース電極から離間されたドレイン電極とを含むことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記絶縁膜は、
前記ゲート配線とデータ配線間に位置するゲート絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタと画素電極間に位置する保護層と
を含むことを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記保護層は、前記ドレイン電極の一部を露出させるドレインコンタクトホールを有することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 基板上にゲート配線及び第1ストレージ電極を形成する工程と、
前記ゲート配線及び第1ストレージ電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上部に、前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する工程と、
前記ゲート配線及びデータ配線に接続される薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に位置する保護膜を形成する工程であって、前記第1ストレージ電極に対応する前記保護層と前記ゲート絶縁膜との第1厚さが、前記ゲート配線に対応する前記保護層と前記ゲート絶縁膜との第2厚さより薄い保護層を形成する工程と、
前記保護層上に、画素電極と、前記画素電極から延長されて、前記第1ストレージ電極と重なる第2ストレージ電極とを形成する工程と
を含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記保護層を形成する工程は、
前記データ配線上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
透過部、遮断部及び前記第1ストレージ電極に対応する部分透過部を有するマスクを通過して、光に前記フォトレジスト層を露光する工程と、
第1厚さと、前記第1厚さより薄くて、前記第1ストレージ電極に対応する第2厚さを有するフォトレジスト層を形成するために、前記露光されたフォトレジスト層を現像する工程と
を含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第2厚さ分だけ、前記フォトレジスト層を除去することによって、前記第1ストレージ電極に対応する絶縁層部分を露出させるために、前記フォトレジスト層をエッチングする工程と、
前記第1ストレージに対応する第1厚さと、前記ゲート配線に対応して、前記第1厚さより薄い第2厚さを有するように前記絶縁層をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト層を除去する工程と
を含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 。 - 前記薄膜トランジスタを形成する工程は、
前記ゲート配線に接続されるゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上部に位置する半導体層を形成する工程と、
前記データ配線に連結されるソース電極と、前記ソース電極から離隔されたドレイン電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記保護層を形成する工程は、
前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記画素電極を形成する工程は、
前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に画素電極を接続する段階を含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記部分透過領域は、前記保護層の前記ドレインコンタクトホールに対応することを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
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