KR100917766B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- 투명 기판상에 금속막을 증착하고, 상기 금속막을 패터닝하여 형성된 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터의 스토리지 전극과;상기 게이트 전극 및 스토리지 전극이 형성된 기판상에 형성된 게이트 절연층과;상기 게이트 절연층이 형성된 투명기판상에 진성반도체층, 불순물반도체층 그리고 금속막을 증착한 후, 상기 금속막, 진성반도체층 및 불순물반도체층을 패터닝하여, 상기 게이트 전극에 상응하는 게이트 절연막 상에 형성된 소스-드레인 전극과;상기 소스-드레인 전극 및 스토리지 전극이 형성된 투명기판 전면에 형성된 패시베이션막 및 광반응성 유기절연막과;상기 드레인전극 상에 형성된, 상기 패시베이션막 및 광반응성 유기절연막이 완전히 제거된 소스-드레인 컨텍홀과;상기 스토리지 전극 및 드레인 전극이 형성된 투명기판 상에 형성된 상기 광반응성 유기절연막 상에 형성되며, 상기 드레인 전극과 연결된 투명전극을 포함하고,상기 스토리지 전극에 상응하는 상기 광반응성 유기절연막의 소정 두께가 제거된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 광반응성 유기절연막만이 소정 두께로 제거된 스토리지 캐패시터는 회절 패턴에 의해 제거된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 투명 기판상에 금속막을 증착하여 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터의 스토리지 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 및 스토리지 전극이 형성된 투명 기판상에 순차적으로 게이트 절연층, 진성반도체층, 불순물반도체층 그리고 금속막을 증착한 후, 상기 금속막, 진성반도체층 및 불순물반도체층을 패터닝하여 상기 게이트 전극에 상응하는 게이트 절연막 상에 소스-드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 소스-드레인 전극 및 스토리지 전극이 형성된 투명기판 전면에 패시베이션막 및 광반응성 유기절연막을 형성하는 단계와;상기 패시베이션막 및 광반응성 유기절연막을 회절 패턴이 형성된 마스크로 감광 및 현상하여, 드레인 전극상에 상기 패시베이션막 및 광반응성 유기절연막이 완전히 제거된 콘택홀을 형성하고, 상기 스토리지 전극 상부에는 상기 광반응성 유기절연막이 회절 패턴에 의해 소정 두께로 제거된 부분을 형성하는 단계와;상기 스토리지 전극 및 드레인 전극이 형성된 투명기판 상에 형성된 상기 광반응성 유기절연막에 형성되며, 상기 드레인 전극과 연결된 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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