KR950012756A - 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 활성층과 화소전극, 신호선, 소오스 및 드레인전극이 되는 투명도전막의 접촉저항을 양호하게 하여 온도전류를 증대시키기 위해 유리기판(10)상에 투명도전막(1)을 증착한 후 소정패턴으로 패터닝하는 공정과, 상기 결과물 전면에 도핑된 반도체층(5)을 형성하는 공정, 상기 도핑된 반도체층(5)을 2단계 포토리소그래피공정을 통해 소정패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 결과물 전면에 반도체층(2), 절연막(3), 금속층(4)을 차례로 형성한 후 소정패턴으로 패터닝하여 구동선(4) 및 활성층(2)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 박막 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 액정표시소자용 박막트랜지스터 구조도,
제3도는 본 발명의 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정 순서도.
Claims (3)
- 유리기판(10)상에 투명도전막(1)을 증착한후 소정패턴으로 패터닝하는 공정과, 상기 결과물 전면에 도핑된 반도체층(5)을 형성하는 공정, 상기 도핑된 반도체층(5)을 2단계 포토리소그래피공정을 통해 소정패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 결과물 전면에 반도체층(2), 절연막(3), 금속층(4)을 차례로 형성한 후 소정패턴으로 패터닝하여 구동선(4) 및 활성층(2)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로하는 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑된 반도체층(5)은 상기 투명도전막패턴(1)과 상기 구동선(4)이 교차하는 부분에만 남도록 먼저 상기 구동선패턴 마스크를 이용하여 패터닝하고 이어서 상기 투명도전막패턴 마스크를 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로하는 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명도전막은 화소전극과 소오스 신호선과 소오스 및 드레인전극을 동시에 형상화할 수 있는 마스크을 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로하는 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930021435A KR950012756A (ko) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930021435A KR950012756A (ko) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950012756A true KR950012756A (ko) | 1995-05-16 |
Family
ID=66824706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930021435A KR950012756A (ko) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950012756A (ko) |
-
1993
- 1993-10-15 KR KR1019930021435A patent/KR950012756A/ko not_active Application Discontinuation
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