KR950012756A - 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR950012756A
KR950012756A KR1019930021435A KR930021435A KR950012756A KR 950012756 A KR950012756 A KR 950012756A KR 1019930021435 A KR1019930021435 A KR 1019930021435A KR 930021435 A KR930021435 A KR 930021435A KR 950012756 A KR950012756 A KR 950012756A
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KR
South Korea
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liquid crystal
display device
crystal display
thin film
film transistor
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KR1019930021435A
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English (en)
Inventor
김병구
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 활성층과 화소전극, 신호선, 소오스 및 드레인전극이 되는 투명도전막의 접촉저항을 양호하게 하여 온도전류를 증대시키기 위해 유리기판(10)상에 투명도전막(1)을 증착한 후 소정패턴으로 패터닝하는 공정과, 상기 결과물 전면에 도핑된 반도체층(5)을 형성하는 공정, 상기 도핑된 반도체층(5)을 2단계 포토리소그래피공정을 통해 소정패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 결과물 전면에 반도체층(2), 절연막(3), 금속층(4)을 차례로 형성한 후 소정패턴으로 패터닝하여 구동선(4) 및 활성층(2)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 박막 트랜지스터 제조방법을 제공한다.

Description

액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 액정표시소자용 박막트랜지스터 구조도,
제3도는 본 발명의 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정 순서도.

Claims (3)

  1. 유리기판(10)상에 투명도전막(1)을 증착한후 소정패턴으로 패터닝하는 공정과, 상기 결과물 전면에 도핑된 반도체층(5)을 형성하는 공정, 상기 도핑된 반도체층(5)을 2단계 포토리소그래피공정을 통해 소정패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 결과물 전면에 반도체층(2), 절연막(3), 금속층(4)을 차례로 형성한 후 소정패턴으로 패터닝하여 구동선(4) 및 활성층(2)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로하는 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도핑된 반도체층(5)은 상기 투명도전막패턴(1)과 상기 구동선(4)이 교차하는 부분에만 남도록 먼저 상기 구동선패턴 마스크를 이용하여 패터닝하고 이어서 상기 투명도전막패턴 마스크를 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로하는 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명도전막은 화소전극과 소오스 신호선과 소오스 및 드레인전극을 동시에 형상화할 수 있는 마스크을 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로하는 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021435A 1993-10-15 1993-10-15 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 KR950012756A (ko)

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