KR940022902A - 박막트랜지스터 및 이를 구비한 액정판넬 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터 및 이를 구비한 액정판넬 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 투명한 절연기판 위에 제1마스크에 의한 게이트 패터닝단계; 게이트 절연층과 반도체층 및 보호층을 위한 각각의 층을 형성하고, 백(back) 노광에 의한 보호층을 패터닝하는 단계; 오믹층을 위한 고농도 반도체층의 형성 및 금속층을 형성하여 제2마스크에 의한 소오스, 드레인 영역을 형성하고 드러난 상기 고농도 반도체층 및 상기 반도체층을 부분 제거하는 단계로 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)~(d)는 본 발명에 따른 액정판넬 제조방법을 보인 공정도, 제3도는 제2도(d)에 대한 평면도이다.
Claims (4)
- 투명한 절연기판 위에 제1마스크에 의한 게이트 패터닝단계; 게이트 절연층과 반도체층 및 보호층을 위한 각각의 층을 형성하고, 백(back) 노광에 의한 보호층을 패터닝하는 단계; 오믹층을 위한 고농도 반도체층의 형성 및 금속층을 형성하여 제2마스크에 의한 소오스, 드레인 영역을 형성하고 드러난 상기 고농도 반도체층 및 상기 반도체층을 부분 제거하는 단계로 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스,드레인 영역을 마스크로 하는 식각은 건식식각으로 행해짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 투명한 절연기판 위에 제1마스크에 의한 게이트 패터닝단계; 게이트 절연층과 반도체층 및 보호층을 위한 각각의 층을 형성하고, 백(back) 노광에 의한 보호층을 패터닝하는 단계; 오믹층을 위한 고농도 반도체층의 형성 및 금속층을 형성하여 제2마스크에 의한 소오스, 드레인 영역을 형성하고 드러난 상기 고농도 반도체층 및 상기 반도체층을 부분 제거하는 단계, 상기 드레인 영역에 연결되는 화소전극을 제3의 마스크를 사용하여 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 TFT를 갖는 액정판넬 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 소오스, 드레인 영역을 마스크로하는 식각은 건식식각으로 행해짐을 특징으로 하는 TFT를 갖는 액정판넬 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930005000A KR940022902A (ko) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 액정판넬 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930005000A KR940022902A (ko) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 액정판넬 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940022902A true KR940022902A (ko) | 1994-10-21 |
Family
ID=66912034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930005000A KR940022902A (ko) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 액정판넬 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940022902A (ko) |
-
1993
- 1993-03-29 KR KR1019930005000A patent/KR940022902A/ko not_active Application Discontinuation
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