KR930002858A - 액정디스플레이 장치의 표시판넬부 및 그의 제작 방법 - Google Patents

액정디스플레이 장치의 표시판넬부 및 그의 제작 방법 Download PDF

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KR930002858A
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김광호
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    • G02—OPTICS
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

내용 없음.

Description

액정디스플레이 장치의 표시판넬부 및 그의 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 통상 TFT에 대한 단면도.

Claims (3)

  1. 박막 트랜지스터를 갖는 액정디스플레이 장치의 표시판넬부 제작방법에 있어서, 어드레스 라인(게이트전극 라인)의 형성을 위해 기판상에 금속층을 형성하여 이 위에 포토 레지스트막을 덮어 게이트전극 라인을 형성하고, 이 위에 양극산화용 패턴을 형성하여 상기 형성된 게이트전극 라인과, 이후 형성될 데이터 라인과의 중첩되는 영역에 한하여 상기 금속층이 노출되도록 노광, 현상 및 양극산화를 실시하므로써 게이트전극 라인상에 부분적으로 절연층을 형성하고, 상기 게이트전극 라인상에 도포된 포토 레지스트막을 제거하여 이후 박막 트랜지스터(TFT)소자 형성 단계를 거쳐 표시판넬부를 제작함을 특징으로 하는 액정디스플레이 장치의 표시판넬부 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 게이트전극 라인과 데이터 라인과 중첩되는 영역에서는 적어도 2층 이상의 절연층이 개재됨을 특징으로 하는 액정디스플레이 장치의 표시판넬부 제작방법.
  3. 기판위에 형성된 게이트전극과, 게이트 절연층, 반도체층 및 소오드/드레인을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)가 매트릭스상으로 배열되고 어드레스 라인이 상기 게이트전극에 연결되고 데이터 라인이 상기 소오스 또는 드레인전극에 연결되어 이루어지는 액정디스플레이 장치의 표시판넬부에 있어서, 상기 어드레스 라인과 데이터 라인이 상호 교차되는 영역에만 형성된 층간 절연층을 포함하며, 게이트 절연층과 함께 적어도 2층 이상의 절연층으로 형성됨을 특징으로 하는 액정디스플레이 장치의 표시판넬부.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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