KR940016904A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 게이트 전극과 소오스/드레인 전극간의 중첩으로 인한 기생용량을 감소시키는 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
종래에는 박막트랜지스터 공정상의 오차를 고려하여 게이트와 소오스/드레인간의 중첩을 크게 하였다.
따라서 이러한 박막트랜지스터를 액정표시소자에 응용할 경우 회질이 파괴되었다.
본 발명은 게이트 전극이 형성된 유리기판 위에 게이트 절연막과 활성층, 접촉저항층, 감광막을 차례로 증착하고 유리기판 쪽에서 노광하여 게이트 전극 상측의 감광막을 제거하고 이를 이용하여 접촉저항층을 선택적으로 제거한 뒤 감광막을 제거하고 소오스/드레인 전극을 형성한 것이다.
따라서 게이트 소오스/드레인 간의 중첩 영역이 감소하므로 기생용량이 줄어 이를 응용한 액정표시소자의 화질을 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명의 박막트랜지스터 구조 단면도, 제 4 도는 본 발명의 박막트랜지스터 공정 단면도.
Claims (3)
- 게이트 전극(2)이 형성된 유리기판(1)위에 게이트 절연막(3), 활성층(4), 접촉저항층(5), 감광막(8)을 차례로 증착하는 공정과, 유리기판(1)쪽에서 노광하여 게이트 전극(2) 상부의 감광막(8)이 제거되도록 현상하는 공정과, 현상된 감광막(8)을 마스크로 이용하여 접촉저항층(5)을 식각하는 공정과, 감광막(8)을 제거하고 활성층(4) 및 접촉저항층(5)을 한정하여 소오스/드레인 전극(6)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 게이트 절연막(3)을 SiNx, SiOx, Ta2O5, Al2O3중 하나 또는 둘을 선택적으로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 활성층(4)을 비정질 반도체 또는 다결정 반도체층으로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025128A KR940016904A (ko) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025128A KR940016904A (ko) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016904A true KR940016904A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67214683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920025128A KR940016904A (ko) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016904A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576539B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
-
1992
- 1992-12-22 KR KR1019920025128A patent/KR940016904A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576539B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
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