KR940003088A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체층과 반도체층사이의 단차를 없애 수율을 증대하도록한 것으로서, 이러한 본 발명의 목적은 제1절연층(3)을 종래와 달리 게이트전극(2)보다 높게 증착한 후 게이트전극(2)과 저장 캐패시터하판(2')위에 증착된 제1절연층(3)을 에칭하여 편평하게 만들고 이후 공기중에 노출된 제1절연층(3)의 계면효과를 높이기 위해 다시 절연층을 증착하고 이후 제1반도체층(4), 제2반도체층(5) 제2도체층 및 제2절연층(8)을 순차로 증착함으로써 달성된다.

Description

박막트랜지스터의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 박막트랜지스터의 구성도.

제4도는 제3도의 A-A선 단면도.

제5도는 본 발명의 박막트랜지스터의 제조 공정도.

Claims (2)

1. 유리기판(1)위에 저1도체층을 선택적으로 형성하고 그위에 제1절연층(3)을 증착하는 과정과, 그위에 제1반도체층(4) 및 제2반도체층(5)을 차례로 증착하여 음 접촉을 형성하는 과정과. 그위에 투명도체층을 만들어 액정표시장치의 화소부분(6)을 구성하며 그위에 제2도체층을 형성하여 소스/드레인 전극(7) 및 저장 캐패시터 상관전극(7')을 형성하는 과정과, 그위에 트랜지스터 보호를 위해 제2절연층(8)을 증착하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 제1절연층(3)의 공정과정은 제1절연층(3)을 게이트전극(2)보다 높게 증착한 후 에칭하여 편평하게 만드는 것을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.