KR960042176A - 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960042176A KR960042176A KR1019950013726A KR19950013726A KR960042176A KR 960042176 A KR960042176 A KR 960042176A KR 1019950013726 A KR1019950013726 A KR 1019950013726A KR 19950013726 A KR19950013726 A KR 19950013726A KR 960042176 A KR960042176 A KR 960042176A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- active layer
- gate electrode
- liquid crystal
- front surface
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Disply)에 관한 것으로, 특히 반도체 활성층과 절연막 사이의 계면 특성을 개선하는데 적당하도록 한 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 액정표시장치의 박막 트랜지스터 제조방법은 투명기판상에 투명 게이트전극을 형성하고, 상기 투명 게이트전극에 연결되도록 게이트 배선라인을 형성하고, 상기 전면에 게이트 절연막을 형성하는 제1단계 공정과, 상기 게이트 전극상측의 절연막상에 선택적으로 비정질 실리콘 활성층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘 활성층상의 채널영역에 식각 방지층을 형성하는 제2단계 공정과, 상기 식각 방지층을 마스크로 사용하여 노출된 활성층상에 불순물 이온도핑을 하고, 상기 기판 뒷면에서 레이저 열처리하여 다결정 실리콘 활성층을 형성하는 제3단계 공정과, 상기 전면에 ITO를 증착하고 선택적으로 식각하여 화소전극을 형성한 후 전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 액정표시 장치의 화소부 평면도, 제4도는 제3도의 A－A´선상에 따른 단면구조도, 제5도는 제3도의 B－B´선상에 따른 단면 구조도.
Claims (5)
- TFT－LCD 제조공정에 있어서, 투명기판상에 투명 게이트전극을 형성하고, 상기 투명 게이트전극에 연결되도록 게이트 배선라인을 형성하고, 상기 전면에 게이트 절연막을 형성하는 제1단계 공정과, 상기 게이트 전극상측의 절연막상에 선택적으로 비정질 실리콘 활성층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘 활성층상의 채널영역에 식각 방지층을 형성하는 제2단계 공정과, 상기 식각 방지층을 마스크로 사용하여 노출된 활성층상에 불순물 이온도핑을 하고, 상기 기판 뒷면에서 레이저 열처리하여 다결정 실리콘 활성층을 형성하는 제3단계 공정과, 상기 전면에 ITO를 증착하고 선택적으로 식각하여 화소전극을 형성한 후 전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 투명 게이트전극은 ITO, SnO2, ZnO 중 하나로 형성함을 특징으로 하는 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 투명 게이트전극은 200∼500A 두께로 형성함을 특징으로 하는 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 게이트 배선라인은 Al, Cr, Mo 중 하나로 형성함을 특징으로 하는 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 불순물 이온도핑은 이온샤워 또는 이온주입(ion shower or ion imlantation) 방법으로 형성함을 특징으로 하는 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950013726A KR960042176A (ko) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950013726A KR960042176A (ko) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042176A true KR960042176A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66525794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950013726A KR960042176A (ko) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042176A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100264886B1 (ko) * | 1997-08-07 | 2000-09-01 | 구본준 | 액정표시장치 제조방법 |
| KR20180080362A (ko) * | 2009-11-06 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
-
1995
- 1995-05-29 KR KR1019950013726A patent/KR960042176A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100264886B1 (ko) * | 1997-08-07 | 2000-09-01 | 구본준 | 액정표시장치 제조방법 |
| KR20180080362A (ko) * | 2009-11-06 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20190028815A (ko) * | 2009-11-06 | 2019-03-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US11315954B2 (en) | 2009-11-06 | 2022-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11710745B2 (en) | 2009-11-06 | 2023-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11961842B2 (en) | 2009-11-06 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5913113A (en) | Method for fabricating a thin film transistor of a liquid crystal display device | |
| KR970011969A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법 | |
| TW376588B (en) | Thin film transistor | |
| KR970048855A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR970028666A (ko) | 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 | |
| KR970022414A (ko) | 액정표시 소자의 제조방법 | |
| JPH06326314A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| KR970028689A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| JPH06204247A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US20020140877A1 (en) | Thin film transistor for liquid crystal display and method of forming the same | |
| TW200524161A (en) | Method for fabricating self-aligned TFT | |
| KR960042176A (ko) | 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970028753A (ko) | 액정 표시 소자의 제조 방법 | |
| KR970054502A (ko) | 수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이 | |
| KR960002917A (ko) | 개구율 향상을 위한 액정 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR960019779A (ko) | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH07193252A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR960019797A (ko) | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR950028014A (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950033613A (ko) | 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 및 그 제조방법 | |
| KR20010061779A (ko) | 인버티드 코플래너형 박막 트랜지스터 액정표시소자 및그의 제조방법 | |
| KR940010306A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950033616A (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
| KR960019777A (ko) | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970022415A (ko) | 액정표시 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |