KR970028689A - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970028689A
KR970028689A KR1019950041556A KR19950041556A KR970028689A KR 970028689 A KR970028689 A KR 970028689A KR 1019950041556 A KR1019950041556 A KR 1019950041556A KR 19950041556 A KR19950041556 A KR 19950041556A KR 970028689 A KR970028689 A KR 970028689A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
depositing
forming
patterning
metal
Prior art date
Application number
KR1019950041556A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0179135B1 (ko
Inventor
김홍규
이호영
Original Assignee
구자홍
Lg 전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019950041556A priority Critical patent/KR0179135B1/ko
Publication of KR970028689A publication Critical patent/KR970028689A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0179135B1 publication Critical patent/KR0179135B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치(LCD)의 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상기 액정표시장치의 게이트라인(Gate Line)의 저항문제를 해결하여 고화질의 액정표시장치(HD급 LCD)를 제작할 수 있도록 한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 투명한 절연성 기판상에 다결정실리콘을 형성시켜 활성하는 제1공정과; 상기 제1공정의 다결정실리콘으로 형성된 활성층을 섬모양으로 패터닝한 후 그위에 게이트절연막을 형성하는 제2공정과; 상기 제2공정의 게이트절연막상에 불순물이 도핑된 다결정실리콘으로 형성된 제1게이트전극을 형성한 후 패터닝을 하고, 상기 활성층에 소스/드레인영역을 정의하기 위하여 붕소나 인을 이온 주입시킨 후 열처리를 통하여 주입된 불순물을 활성화시키는 제3공정과, 상기 제3공정의 제1게이트전극에 게이트 라인을 형성하기 위하여 저항이 낮은 메탈을 증착하고 증착된 메탈을 패터닝하는 제4공정과; 상기 제4공정의 전면에 제1층간절연막을 증착한 후 소스쪽에 메탈 컨텍홀을 형성하는 제5공정과; 상기 제5공정의 메탈 컨텍홀과 상기 제1층간절연막상에 메탈을 증착한 후 패터닝을 하고 열처리를 통하여 얼로잉시키는 제6공정과; 상기 제6공정의 전면에 제2층간절연막을 증착하고, 드레인쪽에 화소전극 컨텍홀을 형성하는 제7공정과; 상기 제7공정의 제2층간절연막과, 화소전극 컨텍홀위에 투명전극물질로 화소전극을 증착하고 패터닝을 한 후, 그위에 보호막을 증착하는 제8공정으로 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

액정표시장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 액정표시장치의 화소부 평면도,
제4도 (a) (b) 는 제3도의 A-A선, B-B선 단면을 기준한 본 발명의 액정표시장치의 제조공정순서를 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 투명한 절연성 기판상에 다결정실리콘을 형성시켜 활성층을 형성하는 제1공정과; 상기 제1공정의 다결정 실리콘으로 형성된 활성층을 섬모양으로 패터닝한 후 그위에 게이트 절연막을 형성하는 제2공정과; 상기 제2공정의 게이트절연막상에 불순물이 도핑된 다결정실리콘으로 형성된 제1게이트 전극을 형성한 후 패터닝을 하고, 상기 활성층에 소스/드레인영역을 정의하기 위하여 붕소나 인을 이온 주입시킨 후 열처리를 통하여 주입된 불순물을 활성화시키는 제3공정과, 상기 제3공정의 제1게이트전극에 게이트 라인을 형성하기 위하여 저항이 낮은 메탈을 증착하고 증착된 메탈을 패터닝하는 제4공정과; 상기 제4공정의 전면에 제1층간절연막을 중착한 후 소스쪽에 메탈 컨텍홀을 형성하는 제5공정과; 상기 제5공정의 메탈 컨텍홀과 상기 제1층간절연막상에 메탈을 증착한 후 패터닝을 하고 열처리를 통하여 얼로잉시키는 제6공정과; 상기 제6공정의 전면에 제2층간절연막을 증착하고, 드레인쪽에 화소전극 컨텍홀을 형성하는 제7공정과; 상기 제7공정의 제2층간절연막과, 화소전극 컨텍홀위에 투명전극물질로 화소전극을 증착하고 패터닝을 한 후, 그위에 보호막을 증착하는 제8공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막위에 다결정실리콘으로 된 제1게이트전극을 형성하고 패터닝할때 상기 패터닝되는 형태는 박막트랜지스터가 형성되는 부분에만 상기 게이트전극인 다결정실리콘이 남아있도록 패터닝함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 1게이트전극에 게이트라인을 만들기 위한 저항이 낮은 메탈은 Al이나 Al/Si 합금등으로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950041556A 1995-11-15 1995-11-15 액정표시장치의 제조방법 KR0179135B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950041556A KR0179135B1 (ko) 1995-11-15 1995-11-15 액정표시장치의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950041556A KR0179135B1 (ko) 1995-11-15 1995-11-15 액정표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970028689A true KR970028689A (ko) 1997-06-24
KR0179135B1 KR0179135B1 (ko) 1999-05-01

Family

ID=19434282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950041556A KR0179135B1 (ko) 1995-11-15 1995-11-15 액정표시장치의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0179135B1 (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100364832B1 (ko) * 2000-05-18 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법
KR100370452B1 (ko) * 2000-02-29 2003-01-29 장 진 불소가 함유된 실리콘산화막을 식각 마스크 및 층간 절연막으로하는 박막 트랜지스터-액정디스플레이의 구조 및 제조공정
KR100375748B1 (ko) * 1999-05-25 2003-03-15 샤프 가부시키가이샤 액정표시장치
KR100378754B1 (ko) * 1999-06-28 2003-04-07 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100372305B1 (ko) * 1995-03-30 2003-06-02 삼성전자주식회사 액정표시장치의박막트랜지스터기판및그제조방법
KR100386631B1 (ko) * 2000-08-29 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100390177B1 (ko) * 1999-08-30 2003-07-04 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 액정디스플레이장치 및 그 제조방법
KR100392022B1 (ko) * 1999-09-29 2003-07-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정 장치 및 투사형 표시 장치 및 액정 장치의 제조방법
KR100386486B1 (ko) * 1997-06-05 2003-08-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정패널용기판,액정패널및이것을사용한전자기기
US6630972B1 (en) 1999-09-30 2003-10-07 Nec Corporation Transmission liquid crystal panel to block ray of light toward thin film transistors with a light blocking film

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101763414B1 (ko) 2010-10-01 2017-08-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그것을 구비한 평판 표시 장치

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100372305B1 (ko) * 1995-03-30 2003-06-02 삼성전자주식회사 액정표시장치의박막트랜지스터기판및그제조방법
KR100386486B1 (ko) * 1997-06-05 2003-08-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정패널용기판,액정패널및이것을사용한전자기기
KR100375748B1 (ko) * 1999-05-25 2003-03-15 샤프 가부시키가이샤 액정표시장치
US6803976B1 (en) 1999-05-25 2004-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha LCD having electrode(s) outside display area which adsorb ionic impurities
KR100378754B1 (ko) * 1999-06-28 2003-04-07 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100390177B1 (ko) * 1999-08-30 2003-07-04 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 액정디스플레이장치 및 그 제조방법
KR100392022B1 (ko) * 1999-09-29 2003-07-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정 장치 및 투사형 표시 장치 및 액정 장치의 제조방법
US6630972B1 (en) 1999-09-30 2003-10-07 Nec Corporation Transmission liquid crystal panel to block ray of light toward thin film transistors with a light blocking film
KR100429369B1 (ko) * 1999-09-30 2004-04-28 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 박막트랜지스터로 향하는 광선을 차광막으로 차단하는 투과액정패널, 이 투과액정패널을 구비한 화상표시장치, 및 이 투과액정패널의 제조방법
KR100370452B1 (ko) * 2000-02-29 2003-01-29 장 진 불소가 함유된 실리콘산화막을 식각 마스크 및 층간 절연막으로하는 박막 트랜지스터-액정디스플레이의 구조 및 제조공정
US6534246B2 (en) 2000-05-18 2003-03-18 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating liquid crystal display device having shorting bars
KR100364832B1 (ko) * 2000-05-18 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법
KR100386631B1 (ko) * 2000-08-29 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0179135B1 (ko) 1999-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200717796A (en) Diamond transistor and method of manufacture thereof
KR970011969A (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법
EP1020899A3 (en) TFT with large-grain polycrystalline active layer
KR980003732A (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR950021242A (ko) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR970022414A (ko) 액정표시 소자의 제조방법
KR970028689A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970077612A (ko) 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 액정표시장치
KR950015817A (ko) 액정용 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR960001841A (ko) 액정표시장치의 제조방법
TW430995B (en) Method for fabricating thin film transistor
KR970028753A (ko) 액정 표시 소자의 제조 방법
KR0156180B1 (ko) 액정표시 소자의 제조방법
KR960042176A (ko) 액정표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법
KR940010306A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR100209621B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR960019779A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR950028014A (ko) 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법
KR970006265B1 (en) Fabrication method of tft
KR970052346A (ko) 반도체 소자의 실리사이드막 제조방법
KR960039215A (ko) 박막트랜지스터 오믹콘택형성방법
KR950005487B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR960043292A (ko) 액정표시소자용 박막트랜지스터 패널 제조방법
KR970008661A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR950028011A (ko) 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050912

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee