KR960019779A - 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 반도체층 패턴과 게이트산화막을 순차적으로 형성하고, 상기 게이트산화막상에 다중 게이트전극을 형성한 후, 상기 반도체층 패턴에 옷셋영역을 갖도록 불순물을 이온주입하여 고농도 불순물층을 형성하고, 상기 옷셋영역에 저농도 불순물층을 자기정합적으로 형성하여 LDD구조의 TFT를 형성하였으로, 공정이 간단하고 다중 게이트전극에 의해 게이트전극과 소오스/드레인전극에 인가되는 전장이 분산되고 LDD 구조에 의해 누설전류가 감소되므로 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 단면도.
Claims (8)
- 투명기판상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 게이트절연막과, 상기 반도체 패턴에서 채널로 예정되어 있는 부분 상측의 게이트산화막상에 형성되어 있는 다중 게이트전극과, 상기 다중 게이트전극의 양측단에서 소정의 폭 만큼 이격되어 형성되어 있는 고농도 불순물층과, 상기 다중 게이트전극 하부의 채널영역과 고농도 불순물층의 사이와 채널영역 사이의 반도체층 패턴에 형성되어 있는 저농도 불순물층과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 필드산화막과, 상기 양측의 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 구비하는 액정표시장치용 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체층 비정질 또는 다결정실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극이 금속 또는 다결정실리콘층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저농도 불순물층이 2∼5㎛의 폭으로 형성되 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물층과 저농도 불순물층이 N 또는 P형 불순물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인전극이 Cr, Ti 또는 Al중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
- 투명기판상에 반도체층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 패턴의 채널로 예정되어 있는 부분 상측의 게이트산화막 상에 다중 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 다중 게이트전극에서 양측단의 게이트전극으로부터 소정의 폭만큼 이격되는 반도체층 패턴상에 고농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 다중 게이트전극과 고농도 불순물층 사이의 반도체층 패턴에 저농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 고농도 분순물층 일측 상부의 필드산화막과 게이트산화막이 순차적으로 제거하여 상기 고농도 불순물층을 노출시키고, 상기 노출되어 있는 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 형성하는 공정을 구비하는 액정표장치용 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940031946A KR960019779A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940031946A KR960019779A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960019779A true KR960019779A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940031946A KR960019779A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960019779A (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100481397B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2005-04-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 액정표시장치 |
KR100674581B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2007-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계발광(el) 표시장치 |
KR100769433B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2007-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100811998B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함한 평판 표시 장치 |
-
1994
- 1994-11-30 KR KR1019940031946A patent/KR960019779A/ko not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100674581B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2007-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계발광(el) 표시장치 |
KR100481397B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2005-04-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 액정표시장치 |
KR100769433B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2007-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100811998B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함한 평판 표시 장치 |
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