KR960019796A - 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 다결정실리콘으로 형성되는 다중 게이트전극에서 중앙부분의 제1게이트전극을 먼저 형성하고 상기 제1게이트전극 양측의 소오스/드레인전극과 인접하는 제2게이트전극은 그 하부의 게이트 절연막을 중앙 부분 보다 두껍게 형성하여 제2게이트전극과 드레인전극 사이에 인가되는 전장을 강하시켰으므로, 다중 게이트전극 구조의 문제점인 누설전류를 감소시켜 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 단면도.

Claims (10)

  1. 투명기판상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제1게이트절연막과, 상기 반도체 패턴에서 채널로 예정되어 있는 부분들중에서 중앙부분의 상측 제1게이트절연막상에 형성되어 있는 제1게이트전극과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제2게이트 절연막과, 상기 제1게이트전극 양측의 제2게이트절연막상에 형성되어 있는 제2게이트전극들과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 필드산화막과, 상기 제1 및 제2게이트전극 양측 하부의 반도체층 패턴에 형성되어 있는 고농도 불순물층과, 상기 양측의 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴을 다결정실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극을 고농도 불순물이 함유된 다결정실리콘층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극이 Ti, Cr 또는 Al들중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트절연막이 산화막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물층이 N 또는 P형인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 필드산화막이 CVD 또는 PVD방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  9. 투명기판상에 반도체층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 패턴에서 채널로 예정되어 있는 부분들 중 가운데 부분에 제1게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극 양측의 제2게이트절연막 상에 제2게이트전극들을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2게이트전극 양측 하부의 반도체층 패턴에 고농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 고농도 불순물층의 양측을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 노출되어 있는 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 형성하는 공정을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2게이트절연막이 제1게이트절연막의 두께에 대하여 30∼120%의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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