KR960019778A - 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 다결정실리콘으로 형성되는 다중 게이트전극들중에 소오스/드레인전극과 인접하는 양측단의 게이트전극과 게이트 라인의 사이에 전압 강하를 위한 저항첼르 고농도 불순물 이온주입 공정시 이온주입을 방지하여 진성이나 저농도 다결정실리콘층이 되도록 하여 형성하였으므로, 게이트전압이 저항체에 의해 강하되어 소오스/드레인전극에서 인가되는 전압에 의한 누설잔류가 감소되어 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막 트랜지스터를 설명하기 위한 레이아웃도.

Claims (8)

  1. 투명기판상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 게이트절연막과, 상기 반도체 패턴에서 채널로 예정되어 있는 부분들 상측의 게이트절연막상에 형성되어 있으며 일측이 게이트라인과 접촉되는 다중 게이트전극과, 상기 다중 게이트전극들 중에서 양단측의 게이트 전극과 게이트 라인의 사이에 형성되어 있는 저항체들과, 상기 다중 게이트전극들 양측 하부에 반도체층 패턴에 형성되어 있는 고농도 불순물층과, 상기 고농도 불순물층의 일측과 접촉되어 데이타 라인과 연결되는 소오스 전극과, 상기 고농도 불순물층의 타측과 접척되어 화소전극과 연결되는 드레인전극을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴을 다결정실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극을 진성이나 저농도 불순물을 포함하는 다결정실리콘층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극인 Ti, Cr 또는 Al들중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막이 산화막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물층이 N 또는 P형인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터.
  8. 투명기판상에 반도체층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 패턴의 상측을 가로지르는 다중 게이트전극들을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측 하부의 반도체층 패턴에 고농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 다중 게이트전극에 불순물 이온을 주입하되 양측단에 위치한 게이트전극에서 게이트 라인과의 사이에는 이온주입이 되지 않는 저항체를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 필드 산화막을 형성하는 공정과, 상기 양단의 고농도 불순물층을 노출시키는 공정과, 상기 노출되어 있는 고농도 불순물층과 접촉되는 소오스/드레인전극을 형성하는 공정을 구비하는 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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